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에미터 플로워의 특징이다.
부하저항이 에미터 회로에 놓여 있으므로 전체적인 교류 에미터저항은 CE증폭기보다 높다.
따라서 교류 전류이득으로 곱해진 후 베이스의 입력임피던스는 CE 증폭기보다 훨씬 높아진다.
- Ri >> Re 임피던스 변
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도식적 구조
-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다 * 결과분석 및 토의사항
1)에미터 접지 증폭기 실험
2) 컬렉터 접지 증폭기 실험
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250
전압이득
4.33
실 험 결 과
<표 7-2> 공통에미터 교류증폭기 실험결과 요약
실험단계
제한조건
측정이득
계산이득
단계(3)
없 음
300
1.14
3.80
단계(4)
제거
300
624
2.08
단계(5)
단락
300
1.28
4.27
단계(6)
개방
300
1.30
4.33
검 토
및
고 찰
1. 공
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경우 출력신호전력
P_l
과 입력신호 전력
P_e (=V_e I_e )
와의 비율을 전력이득(power gain)이라고 한다. 즉
A_p == P_l over P_e
또 하나의 파라미터는 출력신호전력과 "입력신호원 v_s가 공급할 수 있는 최대 전력"과의 비율이며 이것을 변환이득(transducer
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에미터간의 저항
{R}_{BE,Q}
값을 결정하여 표1에 기록하고
{I}_{C,Q}
와
beta ={I}_{C,Q}/{I}_{B,Q}
값 또한 구한다.
그림 6- 에미터 접지 증폭기의 실험
회로
실험B. 교류신호의 증폭이득 측정.
위의 회로를 이용하여 파형발생기로 분터 1㎑의 사인파를 발
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