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공학개론”, 홍릉과학출판사, 2008, pp.28~29 1. 실험의 목적
2. 관련이론
(1) 옴의 법칙(Ohm's Law)
(2) 저항의 직렬 및 병렬연결
3. 준비사항
4. 실험방법
(1) 옴의 법칙
(2) 저항의 직렬 및 병렬연결
5. PSpice 시뮬레이션
6. 실험결과 및
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실험 과정……………… 03쪽
3.1 분말과정
3.2 분말혼합
3.3 Compaction
3.4 Sintering (변수설정)
3.5 Polishing
3.6 Etching
4 실험 이론, 결과 및 분석……………… 04쪽
4.1 밀도 및 크기변화
4.2 경도
4.3 OM (Optical microscopy)
4.4 XRD
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역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 실험에 사용된 원리 정리
1) 저항의 읽는 법
2) Kirchihoff 법칙
3) Thevenin & Norton 등가 회로
4. 실험 결과
1) 저항의 연결
2) 직렬회로
3) 병렬회로
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공학실험』허재근 외 2인 공저, 서울산업대학교, 1995
『도금액분석』최태규, 김광훈, 이정자 저, 도서출판 동화기술, 1997
『도금표면처리』염희택, 이주성 저, 문운당, 2002
『금속공학실험』인하대학교 신소재공학부 금속공학 실험위원회 저,
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조직과 치밀화
7.열처리에 의한 밀도와 실제 분말 형상
본론
가.실험방법
나.실험결과
1.결정학적 밀도
2.Al성형체의XRD 데이터 상분석 및 분석
3.분말시료&CP성형체&CIP성형체의 주사전자현미경
결론
가.실험에 따른 고찰
나.참고문헌
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전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) 다이오드
2) 정류회로
4. 실험 결과
1) 반파 정류 회로
2) 브릿지
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전자선 다발로 조사된 시료면에서 발생하는 전자는 시료의 모양이나 구성 물질 등으로 변화하는 원리를 이용한다.
6.참고 문헌
-재료공학기초실험1-영남대학교, 네이버 백과사전, 금속재료-홍영환 외3 (기전사)
-세라믹실험 한국세라믹학회 교
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전자공학회
◇ 최무덕(1998), H.Gardner의 복합지능이론고찰, 대한민국 육군
◇ 황정규(2010), 인간의 지능, 학지사 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 지능과 지능검사
1. 초기의 발전
2. 검사의 개정
Ⅲ. 지능과 지능지수
1. 비율 지능지수(Ratio IQ)
1) Binet는 정신
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실험목적
나.관련이론
1.분말야금
2.비철금속의 특성
3.분말재료의 성질
4.분말의 형상
5.powder sampling
6.입도측정
7.입도, 입도 분포
8.밀도측정 및 주사전자현미경
본론
가.실험방법
나.실험결과
결론
가.실험에 따른 고찰
나.참고
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전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학
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