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트랜스컨덕턴스 gm을 구한다. 열전압 VT는 26mV로 놓는다.
7. 구해진 IB의 값으로부터 소신호 저항 rπ를 구한다.
8. 얼리 전압 VA를 구하고, 얼리 효과에 의한 소신호 모델의 출력 저항 ro를 계산한다.
9. 소신호 전달함수의 증폭도 |AV|를 계산한다.
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로 구한 값을 비교해 보시오. 그 차이가 있다면 원인을 설명해 보시오.
-> kn = 0.959mA/V2 , Vt = 0.62V , gm = 1.098mA/V
두가지 방법으로 구한 트랜스컨덕턴스는 두배의 차이가 났는데, 그 이유는 ro를 무시해서 정확한 값에서 차이가 난 것 같다. 실제
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트랜스컨덕턴스 은 으로 나타낼 수 있다. 이 관계는 이 공정 트랜스컨덕턴스 파라미터 와 MOS 트랜지스터의 비에 비례한다는 것을 나타낸다. 따라서 상대적으로 큰 트랜 스컨덕턴스를 얻으려면 소자가 짧고 넓어야 한다. 또한 우리는 주어진
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트랜스 컨덕턴스 :
ic17=αvb17/(re17+R8)
vb17=vi2(R9//R17)/((R9//Ri17)+re16)
Ri17= (β17+1)(re17+R8)
Gm2= ic17/vi2 = 6.5mA/V
출력저항 :
Ro2=(Ro13B//Ro17)
Ro13B=ro13B = 9.09kΩ
RS= Ro17//Ro13B = 81kΩ
③출력단
A2=Vi3/Vi2=-Gm2Ro2*Rin3/(Rin3+Ro2)
Q23의 이미터 저항 = Q2의 입력저항// Q13A의 출
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