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구조에 용해된 비소 원자를 형성하기 어려워져서 양 쪽은 N형 게르마늄으로 바뀌게 되는데, 이것이 「NPN형」트랜지스터가 된다.
이 알로이형은 현재로는 거의 만들어지지 않고 있다.
2) 메사형 트랜지스터
메사(mesa)라는 것은 스페인어로 사다
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트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한
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트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
트랜지스
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트랜지스터의 구조
- 트랜지스터의 동작
- 내부에서 전자의 움직임
- 트랜지스터의 특성 표시
- NPN & PNP 트랜지스터
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서 MOS 구조를 하고 있다.
이 구조의 특징은 중간 층에 절연막이 있다는 것이다. 그래서 gate에 어떤 (+),(-)가 걸리 더라도 전류가 흐를 수 없다는 것이다. 따라서 입력 임피던스가 매우 크다. 약 1013Ω 이다. 이는 성능 면에서 더욱더 좋은 것이다.
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이용하면
I_CEO = ( β +1 ) I_CBO
의 식이 나오고
I_CEO βI_CBO
의 관계식으로 나타낼수 있다. 즉
I_C = βI_B
의 식을 얻을수 있다.그리고
I_E = I_C + I_B
=βI_B + I_B
이므로
I_E = (β +1 ) I_B
를 얻을수 있다. 트랜지스터 특성곡선 1
트랜지스터 특성곡선 2
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트랜지스터와 같도록 하여 단채널 효과를 피할 수 있다.
5. 참조
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000 1. 구조와 원리
2. MOS 정전용량-전압 분석
3. 증가형과 공핍형
4.
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트랜지스터의 얼리 효과에 대응된다.
● MOSFET의 종류
1. Depletion형 MOSFET
전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을 조절하는 동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 집적회로 에서 능동 소자 보다 수동 소자로 많이 이용 되는데 source-dra
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트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전압증폭소자에 적합하다.
③ 잡음특성이 양호하여 소신호를 취급하기 좋다.
④ 제조과정이 간단하고 집적회로에서 차지하는 공간이 적어서 집적도를 아주 높게 할 수 있다.
-단점
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트랜지스터
- PNP, NPN : http://atelierace.egloos.com/2561640 1. 트랜지스터의 개요
2. 트랜지스터의 구조와 동작
3. BJT (Bipolar Junction Transistor) 쌍극형 접합 트랜지스터
4. 쌍극형 접합 트랜지스터의 특징
5. 에미터, 베이스, 콜렉터, 직류 베타,
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