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구조에 용해된 비소 원자를 형성하기 어려워져서 양 쪽은 N형 게르마늄으로 바뀌게 되는데, 이것이 「NPN형」트랜지스터가 된다.
이 알로이형은 현재로는 거의 만들어지지 않고 있다.
2) 메사형 트랜지스터
메사(mesa)라는 것은 스페인어로 사다
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트랜지스터 작용에 의해서 증폭을 하게 된다. 또 npn(또는 pnp) 접합트랜지스터의, 또는 점접촉형 트랜지스터의 이미터 접합부분에 빛을 집중시키는 구조의 광트랜지스터는 고증폭률을 가진 pnpn(또는 npnp) 결선 트랜지스터에 상당한다. 이러한
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트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)
트랜지스
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트랜지스터의 구조
- 트랜지스터의 동작
- 내부에서 전자의 움직임
- 트랜지스터의 특성 표시
- NPN & PNP 트랜지스터
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서 MOS 구조를 하고 있다.
이 구조의 특징은 중간 층에 절연막이 있다는 것이다. 그래서 gate에 어떤 (+),(-)가 걸리 더라도 전류가 흐를 수 없다는 것이다. 따라서 입력 임피던스가 매우 크다. 약 1013Ω 이다. 이는 성능 면에서 더욱더 좋은 것이다.
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