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구조, 나노 크기 소자제작, 단순한 공정 등의 장점이 있으므로 비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., \"An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Nove
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- 발행일 2009.06.15
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