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트랜지스터
1) 트랜지스터의 개요
2) 트랜지스터 구조와 동작
(3) IC
1) IC의 특징
2) IC의 종류
(4) IGBT
1) IGBT의 특성
2) IGBT와 GTO의 특징 비교
(5) IGCT
(6) 사이리스터(SCR)
1) SCR의 종류와 동작원리
2) 사이리스터의 특성
(7) 전력용 MOS FE
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[ERROR : 10731] 오류 발생. 1. FET의 종류
1) 내부구조에 따라 분류
2) 채널에 따라 분류
2. 구조와 기호
3. 접합형 FET에 흐르는 전류
4. 접합형 전계효과 트랜지스터(Junction FET)의 동작 원리
5. 증가형 MOSFET
6. 공핍층 MOSFET
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트랜지스터는 반도체 다이오드의 기능을 포함시키면 증폭·발진·스위칭·정류·검파 등의 기능을 가지기 때문에 진공관과 다음과 같이 비교된다. 장점으로는 pnp와 npn의 두 가지 종류가 있는 것, 저전압·소전력으로 동작시킬 수 있는 것, 형태
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Transistor
(BJT,FET,HEMT,HBT..)
Diode
(Schottky)
DC 입력
O
X
변환이득
conversion gain을 가짐
(입력보다 출력전력이 커질 수 있음)
conversion loss를 가짐
(입력대비 출력전력 감소)
회로구성
상대적으로 복잡
상대적으로 간단
특징
증폭현상이 수반되므로 결과
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접합형 트랜지스터의 잘 알려진 사실과 다양한 소자 선택이 가능해 여전히 널리 사용되고 있다.
전기장 효과 트랜지스터는 FET(Field Effect Transistor)라고도 한다. 전기장 효과 트랜지스터의 기본적인 개념은 1930년대에 소개되었으나 소자의 실제
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트랜지스터의 출력단의 온도 보상에 사용
1) 정전압 다이오드(제너 다이오드)
기호역방향으로 전압을 가했을 경우에 어떤 전압에서 안정하는 성질을 이
하여, 일정한 진압을 얻기 위해 사용한다.
PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성
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구조
- 그림 1-4(a)이며, 스위치 동작을 이해하기 위하여, 그림 1-4(b)와 같이 SCR을 2개로 분할하면 알기 쉬워진다. 즉, pnp와 npn의 콜렉터와 베이스가 서로 접속되어 있는 것이다. 이것은 pnp의 콜렉터 전류가 npn의 베이스 전류로써 작용하고, 마찬
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동작〕〔FET에 비해 크기가 큼〕
〔쌍극성 소자〕 ≪ 사 진 ≫〔전류제어방식〕
〔FET에 비해 전력소모 큼〕〔FET보다 높은 전압 가짐〕
[2] BJT 기본 구조
• 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도
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접합한 구조로, 이미터, 베이스, 컬렉터라고 하는 3개의 단자로 구성된다. 베이스 단자의 전류가 컬렉터 단자의 전류나 이미터 단자의 전류에서 증폭되는 특성을 가지므로, 증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를
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구조
Chapter 9. 무선통신시스템 구축 요구사항 분석
무선통신시스템 구축 요구사항
무선통신망 설계와 관리
Chapter 10. 무선통신시스템 구축 하자관리/무선통신시스템 시험
무선통신시스템 하자관리
단위시험
컴퓨터 일반
Cha
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