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실험결과에서의 입력파형과 거의 같은 모양을 유지한다.
5. 그림 10.1(a)와 (c)의 회로의 입출력 전달특성을 그려라.
▲ (a)의 회로의 입출력 전달특성 ▲ (c)의 회로의 입출력 전달특성
6. 다음 그림의 두 회로에 대하여 각각의 입출력 전달특성을
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특성곡선
트랜지스터의 베이스-에미터 다이오드 사이에 다이오드처럼 특성곡선이 있을 수 있다.
그림 5의 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 시켜서 얻을 수 있다.
그림 5에서 베이스에 흐르는 전류 는
이식에서 이다.
(4) 컴퓨터 실습
모의실험
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특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커
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실험을 반복하시오
① 이득 1
② 이득 10
이득 1과 10에서 , , , 을 실험하였는데, 과 가 변하면서 상승시간과 정정시간은 변화하지만 정상편차나 오버슈트는 일정하다는 것을 알 수 있었다.
5.10 실험결과 검토 및 고찰
5.3의 실험에서 이득이 증
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특성 실험회로를 구성하고, 10kHz 정 현파를 입력으로 걸어준 후, R1, R2 값을 변화시키면서 리사쥬 파형을 관측하여 VDD 에 대한 히스테리시스 폭과 경계값을 기록한다. 또한 10% 히스테리시스 회로를 구성 하고 같은 절차를 반복한다.
(7) 74LS03 개
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실험과정을 반복한다. 다만 ⑤와⑥은 반복하지 않는다.
커패시터
Xc(계산)
Vr
Vc
I[mA]
Z(이론값)
Z(실험값)
Vs
0.47uF
0.22uF
RC 직렬회로의 특성
<그림 6.12>RC회로의 위상차의 측정
5. PSspice 시뮬레이션
대상회로 : 그림6.8의 회로
시뮬레이션할 내
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실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
7
2014. 11. 5.
1) VIL, VIH, VOL, VOH 각각의 값
입력과 출력 측정
X-Y모드로 측정
VOL = 0.527V VOH = 4.148V
VIL = 0.950V VIH = 1.174V
2) NOT 게이트의 입출력 특성 곡선 및 노이즈마진
NMH = 0.423V NML = 2.974V
3) Y와 Y\'에 흐르는
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실험
① 직류전원 공급장치(DC Power Supply)와 저항을 이용하여 그림의 실험회로 구성.
② 그림의 실험회로에서 저항 R1, R2, R3 양단의 전압 V1, V2, V3을 각각 측정하여 표 1에 기재.
(전압 측정 시 극성은 반드시 그림에 표시된 전압 특성을 기준으로
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실험 순서 및 방법
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
[그림 3-2] 동기 전동기의 결선 [그림 3-3] 직류 타여자 발전기의 결선
(1) 동기 전동기와 직류 타여자 발전기의 결선
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그림 7, 8의 회로도에서, , 가 왜 필요한가? 또 의 저항 값이 의 저항 값보다 월등히 큰 까닭은 무엇인가?
(5) 사용 다이오드의 정격 사양에서 각양들이 의미하는 바를 설명하여라.
(6) 멀티미터로 다이오드의 극성을 파악하려면 어떻게 해야 하
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