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회로와 어떻게 비교되는 지를 설명하였다. 회로는 거의 동일한 특성을 갖는 상보형 트랜지스터 쌍(pnp형과 npn형 각 하나)이 요구된다. 또 교차 왜곡의 원인과 그것을 없애는 방법을 설명하였다. 이 방법중 가장 효율적인 것은 한쌍의 다이오드
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회로가 아니라 더 복잡하게 구성이 되겠지만 Class AB와 같은 회로는 실제로 많이 쓰이는 회로이다. 효율과 왜곡 특성이 모두 좋기 때문이다.
여기서 고려하지는 않았지만 Class AB의 바이어스 회로에는 다이오드를 이용한 방법, multiplier를 이용
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다이오드이다. 빛을(Light) 발하는(Emitting) 다이오드(Diode)라 하여 LED라 부른다.
(5) 트랜지스터
- NPN형과 PNP형이 있고, 각각 컬렉터, 베이스, 이미터의 극성을 가지고 있는데, 눈으로 식별이 가능한 것은 형별뿐, 극성은 회로시험기로 확인을 해봐
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트랜지스터에서 전계는 p-n 다이오드를 통해서 채널에 가해진다. 반도체 채널로부터 산화층에 의해 분리된 금속게이트 전극을 사용함으로써 기본적으로 다른 종류의 전계 효과 소자를 얻는다. 이 금속 산화물 반도체 구조로 하면 게이트와 기
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다이오드의 전압 전류 특성 구하기
R= 1K , D1N750 다이오드,
DC SWEEP(-20~10V, INCREMENT 0.01)
전압이 음일 경우 -4V, 전압이 양일 경우 1V부터 문턱을 넘어 전류가 발생하기 시작한다.
61. 트랜지스터의 3가지 영역
V1을 0~2V 까지 DC SWEEP
Vbe가 0.6V 내외에서
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트랜지스터 내부에 있는 다이오드의 문턱전압도 0.7V라고 가정했지만 실제로는 0.7에서 벗어날 수 있을 것이다. 또 회로를 구성하면서 생긴 도선이나 브레드보드의 내부저항, 전류나 전압을 측정할 때 멀티미터의 내부저항이 실험에서 발생한
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작게 나타나도록 선택
(7) 일반 멀티미터로써 주어진 다이오드와 트랜지스터의 양부 판정, 극성 측정 그리고 순방향 및 역방향 전류, 순방향 전압 강하, 누설 전류를 각각 표에 기록
5. 참고자료
- 기초 전기 전자 공학 실험 (교학사, 대한전자공
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회로도 OrCAD설계, 프로그래밍
? : 모터부, 센서부, 전원부 회로 제작
? : 외형제작
자동문 제어부의 회로
≪ 그 림 ≫ [자동문]
[AUTOGATE] …………………… 19.7KB (파일 8, 폴더 2)
[default]
AUTOGATE.aps
autogate.aws
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Vcc= = 10v 일때Vcc= = 15v 일때 1). 실험목적
2). 실험 이론
1. 트랜지스터 데이터
2. 트랜지스터와 그 응용의 간단한 설명
3. 외형적인 데이터
4. 최대정격
5. 트랜지스터 특성 곡선
6. 커브 트레이서
3) 실험 방법
시뮬레이션 결과
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다이오드
정전압 동작
트랜지스터
PNP 트랜지스터
증폭
2면접합(PNP)
NPN 트랜지스터
2면접합(NPN)
전계효과 트랜지스터
P채널
전류제어
N채널
사이리스터
PNPN
스위치
(고전압, 고전류용)
3면접합(PNPN) 직류회로
자기
유도
정전기
교류회로
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