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회로 상 잡음, 브레드보드판의 접선 문제, 연결선들의 결함, 저항의 이상 등 여러 가지 이유들에 의해 오차가 발생하였다. 처음 트랜지스터와 다이오드를 접해보았는데, 실험하는 데 있어 너무나 많은 어려움을 겪었다. 이번 학기 때 복학하는
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Transistor
(BJT,FET,HEMT,HBT..)
Diode
(Schottky)
DC 입력
O
X
변환이득
conversion gain을 가짐
(입력보다 출력전력이 커질 수 있음)
conversion loss를 가짐
(입력대비 출력전력 감소)
회로구성
상대적으로 복잡
상대적으로 간단
특징
증폭현상이 수반되므로 결과
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회로 잡지 못하고 일시적 즐거움에 앞날을 직시 못한다면 그 것은 제 2의 일본으로 가는 지름길일 것이다. 간단하지만 진리인, 원천기술의 확보와 기술 제휴선의 다변화를 통해 일본의 지적소유권 유출기피전략에 대응해야 할 것이며, 인재양
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포토리소그래피로 형성된 패턴에 따라 식각하는 공정으로, 종전에는 화학 약품을 사용하는 웨트 에칭(wet etching)법으로 시행했으나 1970년대 중반부터 회로 패턴의 미세화·고정밀도화의 요구에 따라 드라이 에칭(dry etching)법이 진척되었다. 웨
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다이오드 이론
다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체란 원래 이러한 성질을 가지고 있기 때문에 반도체라 부르는 것이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐
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이번 실험을 통해 직류전압만 흐를 때는 트랜지스터가 증폭기로서의 역할을 하지 않으며 교류전압이 흐를 때 증폭기로서의 역할을 한다는 것을 알 수 있었다. ●목 적
●기기 및 부품
●관련 이론
●실험과정
● 실험결과
●고찰
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로를 다 연결했을 때 세그먼트의 숫자가 잘 나오지 않았었습니다. 하지만 어떤 소자를 꾹 눌러주면 그때부터는 계속 잘 동작이 되었는데, 소켓에 소자가 완전히 들어가지 않았던 것이 원인이었습니다.
포토인터럽트를 사용하여 세그먼트 출
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1개
8.2kΩ 저항; 5%, 1/4W
1개
10kΩ 저항; 10%, 1/4W
1개
47kΩ 저항; 5%, 1/4W
1개
10㎌ 전해콘덴서
1개
100㎌ 전해콘덴서
1개
220㎌ 전해콘덴서
1개
33㎌ 탄탈 콘덴서
1개
0.1㎌ 마일러 콘덴서
1개
Stabistor 다이오드
1개
NPN 트랜지스터
2개
PNP 트랜지스터
1개
Spea
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도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.
④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다. 1. 반도체 소자 및 IC 개요
2. 웨이퍼 및 마스크 제조
3. FAB 공정
4. PHOTO, ETCH 공정
5. Doping 공정
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회로를 구성한다. 그림 7-4 회로의 특징은 다음과 같다.
공통 에미터 저항은 역전압을 올릴 것이다. 또한 두 트랜지스터의 다른 포화전류로 인하여 역은 출력이 포화되었을 때와 출력이 차단되었을 때가 다르게 될 것이다.
※ 전자회로실험 P.54
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