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전자회로실험 P.85~93
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. PSpice 시뮬레이션
3-1 시뮬레이션 준비물
3-2 시뮬레이션 과정
3-3 시뮬레이션 결과
4. 실험
4
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회로에서의 전압이득은 약 1이다.
전체 전압이득
stage 1 AC해석 및 전압이득
감쇠 = 1
stage 2 AC해석 및 전압이득
감쇠 = 1
stage 2 AC해석 및 전압이득
※ 계산값은 트랜지스터의 내부 속성 때문에 차이가 난 것 같습니다.
▣ orcad 파형
※ 계산값은 트
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다이오드 정류회로 때처럼 전자회로 시간에 배운 부분이라 이론적인 이해는 어느
정도 하고 시작했다. 트랜지스터의 특성곡선을 막연하게 저렇구나 하고 생각했었는데 VCC의
값을 변화시키면서 IC 의 값들을 직접 구하고 VCE 의 값들도 구하여
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같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
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전자회로를 첨가한 것을 포함하여, 이화학용 정밀 소형저울에서 상업용 저울, 공업용 대형저울에 이르는 각종 저울이 있고, 이 저울들의 정밀도는 기계식 저울과 같은 정도(칭량의 1/105~1/103)이다. 저울대의 균형조작이 자동적으로 되고 측정
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전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1
http://heebok.kongju.ac.kr/experiment/electron/em12.html 1 실험
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diode (OPAMP 리미터)
19. TRANSISTOR AMPLIFIER (트랜지스터 증폭기)
20. BJT differential pair
21. Simple series regulator with a transistor (간단 직렬 조정기)
22. pulse width modulation ( PWM 회로)
23. Millier intergrator (밀러 적분기)
24. Schmitt Trigger (슈미트 트리거)
25. BJT bia
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트랜지스터를 순방향바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압 강라에 의해 공급되어 두 실리콘 다이오드가 순방향 바이어스 된다.
출력 전압이 입력전압과 거의 같아 전압이득이 같다. 1. 실험 목적
2. 회로도
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회로』, 진영사, 1999
(2) 김선형·이두성, 『디지털공학』, 청문각, 2010
(3) 이갑섭·배장근, 『디지털 논리회로 이론 및 실습』, 대림, 1998 실험. 논리회로의 간략화
1. 실험 목적
2. 실험 이론
2.1. 부울 대수(Boolean Algebra)
2.2. 기본적 또는
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다이오드
∙다이오드 브리지
∙발광 다이오드(LED: Light Emited Diode)
트랜지스터(Transistor)
∙트랜지스터의 개요
∙트랜지스터의 리드
∙트랜지스터의 외관
집적회로(Integrated Circuit)
∙집적회로의 개요
∙3단자
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