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효과가 있기 때문이다.
3. 실험 기계 및 부품
1) DC power supply
2) Oscilloscope
3) AF Generator
4) IC : μA 741 - 1
5) 저항 : 10 kΩ - 1
20 kΩ - 1
200 kΩ - 1
6) capacitor : 0.1㎌ - 1
4. 시뮬레이션 1. 목적
2. 이론
3. 실험 기계 및 부품
4. 시뮬레이션
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저항에 서 흐르는 전류를 구할 수 있다. 6V일때의 전류를 각각 구해보니 117.9mA , 60.25mA , 11.58mA 가 나왔다. 우리가 측정했던 값과 비교해 보니 전류가 대부분 높아졌음을 알 수 있다. 이론보다 측정값이 적게 나왔다는 의미는 전압이 낮아지거나
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회로를 그린다.
테브난 등가와 노턴 등가는 서로 상호 변환할 수 있다. 이론적으로만 알아왔던 것을 실제로 실험에서 결과를 도출해 내었다. 약간의 오차는 발생하였으나, 실험은 성공적이었다. 원 회로의 값과 테브난과 노턴의 정리를 이용
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회로와의 차이점을 비교해본다.
555타이머와 크리스털을 이용해 클럭의 제어를 살펴본다.
각 소자의 논리게이트를 이해하고, 이에 맞게 연결시킨다.
7세그먼트의 간단한 조작을 이해한다. 1.실험 제목
2.실험 목적
3. 관련 이론
4.
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이론값>
(6) 본인의 설계대로 구현한 회로가 설계사양을 만족하지 못하는 경우, 무엇을 수정하였는가? 설계사양 만족을 위해 회로를 어떻게 수정하였는가?
sol) 이번 실험에서 크게 차이점을 발견하지는 못하였지만 입력전압값이 다르게 입
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이론적으로 가 무한대이며 가 0이므로 직렬로 연결된 Filter들의 부하효과를 거의 없앨 수 있다.
6. 토의 및 고찰
- 고역 통과 회로에서의 주파수 응답 곡선에서 Op-Amp 내의 정전 용량, 기생 커패시터로 인해 이상적인 그래프와 차이를 보인다.
- Fi
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확인해 볼 수 있는 소중한 경험이 될 것 같다. 이번 실험 역시 하찮은 실수 하나라도 발생하지 않도록 주의집중 하면서 실험을 진행해 나가야 겠다. 1. 실험 목표
2. 실험 준비물
3. 예비 이론
4. 실험 방법 및 시뮬레이션
5. 고찰
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저항
3. 퇴행
4. 반동형성
5. 투사
6. 합리화
7. 동일시
8. 보상
9. 대치
10. 격리
11. 부정
12. 승화
13. 원상복귀
14. 전환
V. 사회복지실천에의 적용
B. 에릭슨의 이론
I. 인간관과 기본관점
II. 주요개념
1. 자아와 자아정체성
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회로를 간단히 할 수 있다.
Pspice Simulation
반가산기
회로도
Simulation 결과
전가산기
회로도
Simulation 결과
Referance
디지털공학실험(김상욱외 7명) 복두출판사
디지털공학(장은영외 1명) 신화전산기획 1. 실험관련내용(이론)
2. 실험계획 및 주
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회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 2. 리소그래피(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4)
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