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(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의 전망
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Soft Bake 10분
Aligner 노광 15초 동안 UV :이 과정에서 Body로 사용할 부분도 노광!
Developer 1분 (+ DI Water and N2 Blowing)
Pettern 부분의 PR날아감(Positive)
뒷면 Taping 불필요
HF로 Etching
Soft Bake
아세톤 메탄올 DI Wate
Dry Oxidation : SiO2 입혀주기
포토리
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soft baking, 노광 후의 post exposure baking(PEB), 현상 후의 hard baking이 있다.
5) Hard bake(하드 베이크)
11. 식각(Etching)
식각공정은 궁극적으로 기판 상에 미세회로를 형성하는 과정으로서 현상공정을통해 형성된 PR pattern과 동일한 metal(혹은 기타 deposition
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soft baking'을 한다.
4단계 : 실리콘 웨이퍼위에 ‘『 ’모양을 기준으로 'Alignment' 와 'Exposure'를 한다.
앞선 실험과는 다른 마스크를 사용한다. 대략 다음과 같다.
5단계 : 'exposure'시킨 실리콘 웨이퍼를 'develop용액'으로 35초동안 'develop'시킨다.
‘d
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약 20초 동안 PR strip을 더 진행 - 완벽한 Si-Si02 patterning을 얻음~ 실험목적
실험 과정
실험과정에 들어가기 앞서서...
1. Photoresist(PR) Spin Coating
2. Soft baking(100℃ / 1분)
3. Alignment & Exposure
4. Development
5. Hard baking
6. Etching
7. PR strip
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