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전문지식 2,827건

개별적으로 취급할 수 없다. ◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당 집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학 실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사 박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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  • 등록일 2008.10.29
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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그 최대와 최소값에서 짤린 삼각파 가 되는데 이것은 741연산 증폭기의 회전비율(slew rate)로 인해 발생하는 현상이다. 0.0047μF의 커패시터에 대해서는 21KHzV정도이다. 1. 목표 2. 기본 이론 - 연산 증폭기 1)비교기 2)적분기 3)미분기
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  • 등록일 2004.11.26
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  • 참고문헌 없음
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pin 1 V pin 2 Input Voltage Output Voltage 0 2.5 +5 표 3-4-2 (74HC04) V pin 1 V pin 2 Input Voltage Output Voltage 0 2.5 +5 실험 3. CMOS 와 TTL NAND/NOR 게이트 정의와 동작 1. 목적 2. 기본 이론 3. 실험 기기 및 부품 4. 실험 과정 5. 실험 고찰 6. 필요한 결과
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  • 등록일 2010.12.27
  • 파일종류 한글(hwp)
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저항 측정값 이론값 1 11.41 V 1.1 [Ω] 0 2 10.16 V 91.5 [Ω] 91.5012 [Ω] 3 10.16 V 156 [Ω] 156.0084 [Ω] 4 10.31 V 232.8 [Ω] 232.8005 [Ω] 5 11.09 V 511.4 [Ω] 511.419 [Ω] 결론 이번 실험은 저역 통과필터의 주파수 특성을 이해하고 브리지회로에서의 위상 편이 범위를 측정
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  • 등록일 2010.01.05
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회로를 만들 수 있었다. 증폭 회로는 JFET의 Gate에 순 바이어스를 걸어주어 Channel이 작아지는 효과를 만들어 Drain에서 Source로 흐를 때 저항값을 작게 만들어 전압을 높여주는 역할을 한다. Function Generator의 전압을 늘렸을 때 짤림 현상이 일어났
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  • 등록일 2008.12.08
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저항의 양쪽 전위차가 충분히 되지 못하여 Vout의 값이 입력전압보다 작아지게 된다. 그러므로 입력전압의 최대값은 이므로, 보다 충분히 큰 저항을 이용해야 한다. 1)실험의 목적 2)실험도구 3)실험내용 4)실험방법 5)토의
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  • 등록일 2005.06.19
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저항이 생기기 때문이다. 이 특성은 이상적이지 않은 op-amp의 특성이고 또한 op-amp마다 각각 다른 값을 가진다. 이러한 이유로 op-amp를 이용한 회로를 설계할 때에 이러한 특성 등을 잘 고려해야 한다. LM741의 데이터 시트에 나온 Slew rate값은 0.7V/
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  • 등록일 2006.12.11
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
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회로 회로도 작성 시뮬레이션 AC전압 분배회로 시뮬레이션 Probe 사용법 DC Sweep Parametric 해석 논리 회로 설계 및 실험 디지털 입력신호 시뮬레이션 설정 De-Morgan의 정리 디지털 입력 시뮬레이션 결과 NAND Gate를 이용한 등가회로 Exclusive
  • 페이지 124페이지
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  • 등록일 2013.08.07
  • 파일종류 피피티(ppt)
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저항을 측정한다. 이때 미지 저항의 측정값은 멀티미터를 통해 구했다. 3번에서의 미지저항의 측정값은 이고 5번에서의 측정 미지저항은 이다. 6번에서의 측정 미지저항은 이다. 미지저항의 이론값은 수식 7에 의해 순서대로 이다. 오차는 각
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  • 등록일 2022.06.22
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 있음
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. 3. 능동 필터 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과 회로도 ) 조건) Start Freq :10Hz , End : 10kHz , Points : 10001 시뮬레이션 결과 ) # x 축 log scale로 변환한 값 1. 목적 2. 이론 3. 능동 필터 회로 P-spice 시뮬레이션 수행 결과 4.시뮬레이션 결과
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  • 등록일 2008.12.14
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