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회로에서 근사 해석 시에는 는 물론 도 나타나지 않는다.
따라서 는 와 무관해지고 더욱 안정화 되게 한다.
가 작을수록 안정된 회로이다.
를 값으로 임의로 정해 회로 구성을 할 수 있다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4.
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저항값으로 R1=620kΩ, R2=68kΩ으로 설정하였다. 이렇게 해서 모든 저항값을 표준저항으로 맞춘 회로가 완성되었다.
이 회로의 저항값들을 다시 넣어 시뮬레이션을 해보았다.
-이론적으로 Vi의 최대값은 20mV이다. 20mV를 넣었을 때, 증폭이 405배정도
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저항값 읽는법
2. 커패시터 읽는법
3. 브래드보드 용도 및 사용법
4. 함수발생기와 오실로스코프의 용도
5. 디지털 오실로스코프 사용법 (실험 방법)
Ⅱ.본론
1. RC회로 이론적 해석
2. CR회로 이론적 해석
3. RC회로 과도응답
4. CR회로 과
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저항을 갖지 못한다면 이론상으로 전력소모가 일어나서 이렇게 전압이 떨어질 수도 있을 것이다. 혹은 오실로스코프 프로브단자 사이의 저항이 무한대가 아니라면 이를 통해서 전류가 흐를 것이고, 마찬가지로 전력소모가 생길 것이다. 흔히
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회로를 분리 및 정리
8. ELVIS II 전원 Off
4 Pre-Lab(예비실험): 검토 및 느낀점
PNP형 BJT와 NPN형 BJT의 동작원리 및 영역, 특성그래프를 이론조사로 미리 알게되었고 ,그것을 토대로 멀티심으로 실험을 해보니 더 이해가 잘되었다. 또, 바이어스에 따
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저항, 용량성 리액턴스, 위상각의 관계를 관찰한다.
2. 관련이론
① 직렬 RC회로에서 임피던스 Z는 R과 의 페이저 합이며 와 R은 90°의 위상차가 발생한다.
② 왼쪽 그림과 같이 피타고라스 정리에 의하여
③ Z와 R사이의 위상각이 θ라면
④ 위상
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8-8
출처: 두산세계대백과 EnCyber
전기용어 대사전, 전기 기술 문화사, 김만영, 1979. 8. 25.
전기 전자 공학도를 위한 기초회로실험, 이능헌 외3, 웅보출판사, 2000. 1. 10. 1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험기구
4. 관련이론
5. 실험방법
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이론
1) 테브냉의 정리
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
[실험 1 : 옴미터의 사용]
[실험 2 : Rl이 330Ω일 때 Il, Vth, Rth의 측정(=330Ω)]
[실험 3 : 전원 장치의 전압과 테브냉 전압을 같게 했을 때 (Vps=Vth)]
[실험 4 : 저항 을 1kΩ, 3.3kΩ으로
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약간 차이가 있지만 거의 비슷한 모습을 하고있다.
시뮬레이션 구간이 1kHz에서 2000kHz로 제한된 관계로 처음과 끝의 차는 약 108도의 차이만 있다
3dB - frequency 에서는 약 -225도가 측정되었다. 1 목적
2 준비물
3 이론
4 시뮬레이션
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회로의 과도 응답 특성을 이해하려면, 고유응답, 즉 식 (2)의 제차 방정식
만 풀면 된다. 이 미분 방정식의 특성방정식 으로부터 특성근은
이 된다.
(case1) over damping: 만약
or (5)
을 만족하면 및 모두 음의 실수가 되고, 초기 전류는 두 지수 함수
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