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회로에 대해 잘 이해하여 실험하는데 있어 이론상으로 미리 예습을 해 온 느낌이 들었다. 결국 큰 도움이 되었다. 공학프로그래밍 시간에 배우고 있는 매트랩을 바로 실험공부에 적용할 수 있어 좋았다.
B. 부족한 점
실험을 수행 할 때 저항
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회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002
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회로이론 1에서 배운 내용을 실험을 통해서 직접 확인할 수 있어 매주 보람참 시간을 보내고 있다. 처음 실험할 때 보다는 매우 능숙해졌지만 실험기기들은 점점 고장이 많아지는 점이 아쉽다. 실험기기 사용에 더욱 주의를 가해야겠다.
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회로를 결선하고 부하저항 에 흐르는 전류 를 측정하였다.
(전류원에 해당되는 시험 장비가 없어서 전류원을 다음과 같은 식을 통하여 전압원으로 대체하였다. )
< Norton 정리 측정>
오차
측정값
이론값
=100Ω
342.9mV
3.495mA
3.408mA
2.553%
=220Ω
6
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방정식을 써 내리면
이상으로 T회로의 임피던스 파라미터는
[Ω], [Ω],
[Ω]
이다.
11-4[답]
11-5
[Ω]
[]
11-6
→
[Ω]
→
[Ω]
[Ω],
[Ω]
∴
11-7[답]
11-8[답]
11-9[답]
11-10
11-11[답] 8 [Ω]
11-12
[Ω]
11-13상기의 회로를 변형하면 다음과 같다.
(a)
(b)
그
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회로를 바꾼다.
⑷ 단자 C, D의 전압을 2V, 4V, 6V로 변화시키면서 A, B 에서의 전류를 측정한다.
⑸ 가역 정리가 성립하는지 확인하여라.
※ reference
-「Electric circuits」; 8판, Nilsson
-「회로이론실험」; 출판사-두양사, 저자-이준신, 윤석호, 박기헌
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이론치(진폭과 위상)를 구하고 실험에 의해 측정된 값과 비교하라.
3. 구형파를 사용한 경우에는 v가 작지 않으므로 i=Vg/Rg 의 식이 성립하지 않는다. 함수발생기의 테브난등가저항 Rt를 포함하는 등가회로에서 i에 대한 미분방정식을 쓰고 그
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회로 실측에 기초한 기초 전자 전기 실험 도서출판 글로벌 홍순관저
전자전기 기초 실험 진영사 이재호·김순협 공저 1. 기초이론
(1) 마디 해석법
(2) 루프 해석법
(3) 선형성
(4) 가역정리
(5) 중첩의 원리
2. 예비보고서
(1) 중첩의 정리
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앞의 회로는 전압 이득이 다음과 같은 반전 증폭기가 된다.
< 3-4 제한된 저주파 이득을 갖는 적분기 회로 >
3. 시뮬레이션
1) 미분기
2) 적분기 1.목적
2.이론정리
적분기
미분기
3.시뮬레이션
적분기
미분기
4.결과
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회로의 총 임피던스는 옴의 법칙을 이용하여
와 같다.
3. 실험 준비물
기기
■ 함수발생기
저항
■ 2k, 1/2-W 1개
■ 10, 1/2-W 1개
캐패시터
■ 0.1uF 1개
인덕터
■ 100mH 코일
4. 실험과정 Pspice로 구현
Ir= 5mA , 녹색= 인덕터전류 = 8mA
총 전류 = 9.5mA
Ir=5mA,
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