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실험방법
1. 테브난 등가회로
A. 그림 1-(b)처럼 회로를 연결한다.
B. A-B 단자 전압 VAB를 측정한다.
C. 그림 1-(c)처럼 회로를 연결한후, A-B 단자의 합성저항 RAB를 측정한다.
D. 그림 1-(e)처럼 회로를 연결한 후, 6Ω에 흐르는 전류를 측정한다.
E. 이론
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= 3.57mA * 2000Ω = 7.140V
5.참고자료 :
전기전자기초실험(청문각)
회로이론 6th Edition Engineering Circuit Analysis
http://kin.naver.com/db/detail.php?d1id=11&dir_id=110209&eid=VSnpNuegPEdQW5YZNfEPXYHtS+wz8GQ/ 1.실험 제목
2.실험 목적
3.실험 이론
4.결과 예상치
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회로의 유용한 또 하나의 회로 구성은 전압을 평균하는 평균기(Averager)이다. 같은 입력저항에 대한 궤환저항의 비를 적절하게 선택함으로써 전체 입력저항의 합을 평균하는 값으로 할 수 있다.
Chapter2. 실험 결과 (시뮬레이션)
Pspice 모의실험
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실험회로 2 : BJT 공통 컬렉터 증폭기와 달링톤 회로 측정
이론 값
시뮬레이션 값
측정 값
Ib
30uA
30.198
0.00005A
Vce
6.7V
6.681V
6.758V
Ic
5.1mA
5.111mA
5.27mA
이론 값
시뮬레이션 값
측정 값
Ib
0A
0A
0.09mA
Vce
7.3V
7.29V
4.1851V
Ic1
26.7uA
26.645A
0.00005A
Ic
4.7mA
4.695mA
4.86m
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론
시뮬
측정
12V
12V
12.757V
0A
0A
0.00005A
-12V
-12V
-11.307V
1.7uA
1.776uA
0.00005A
■ 실험회로 2 : BJT AB급 전력증폭기 회로
- 실험 결과 그래프 및 표 :
이론 값
시뮬레이션
측정 값
3.1mV
3.118mV
6.845mV
526.4mV
526.862mV
0.5622V
-520.8mV
-526.862mV
-0.5623V
845.0uA
845.846uA
0.00
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실험 9: 정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
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a) Thevenin 등가회로를 설계하고, 제출하라.
RTh (Ω)1.093(kΩ)
VTh ()-()4.198(V)
↑그림2 Thevenin 등가회로
(b) RL의 전압과 전류는 얼마인가?
VL 0.9731481330.973(V)
IL0.0029495870.00295(mA)
3.3 (a) Thevenin 등가회로를 실험적으로 구하려고 한다. VTh를 구하고 실험회로
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : BJT B급 전력증폭기 시뮬레이션
이론(계산)값
시뮬레이션 값
12V
12V
0A
0A
-12V
-12V
1.7uA
1.776uA
■ 모의실험회로 2 : BJT B급 전력증폭기 파형측정
전압이득(시뮬레이션)
전압이득(이론
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실험실 전기회로 기초실험 동일 출판사 김광훈·김동식·허원지음
전기·전자기초 실험실습 집문당 신종석 지음
회로이론의 기초(Electric Circuits Fundamentals) 청문각
기초전자실험 형설출판사 김태·이봉락 공저
회로 실측에 기초한 기초 전자 전
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실험은 잘하여진 것 같으나 그 원인을 책과 인터넷을 뒤져봄에도 불구하고 알 수가 없었던 점이 아쉽다.
4. 참 고 자 료
① 일반물리학 / 이영재 외 9명 / 형설출판사
② 회로이론 / 김동희 외 2명 / 인터비젼
③ http://cafe.naver.com/science2.cafe?iframe_ur
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