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예비 실험을 통해 그 두께비를 측정해 두어야 한다.
그 중 막의 표면을 관찰하는 방법에는 AFM(Atomic Force Microscope)를 사용하는 방법이 있다. AFM 을 소개하면 다음과 같다.
AFM은 서로 떨어진 원자들 사이에 형성되는 힘이 제각기 다른 점을 이용
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예비 실험을 통해 그 두께비를 측정해 두어야 한다.
그 중 막의 표면을 관찰하는 방법에는 AFM(Atomic Force Microscope)를 사용하는 방법이 있다. AFM 을 소개하면 다음과 같다.
AFM은 서로 떨어진 원자들 사이에 형성되는 힘이 제각기 다른 점을 이용
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전압의 위상이 전류를 앞서지만, 캐패서터에서는 전류의 위상이 전압을 앞선다.
3. 실험 준비물
기기
■ DMM
■ 함수발생기
저항( 1/2-W 5%)
■ 3.3k 1개
캐패시터
■ 0.01uF 1개
인덕터
■ 100mH 코일
4. 실험과정 Pspice로 구현
주파수가 증가함에 따라 은
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PSPICE 문제
1. PSpice의 모든 회로도에는 접지(ground)가 반드시 포함되어야 한다. 그 이유를 설명하라.
-접지는 과전류,과전압등으로 부터 전기회로나 부품을 보호하기 위한 일종의 안전장치이므로 꼭 포함되어야 한다.
2. Analysis Setup 팝업메뉴에서
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전압이 5V이고 전류가 5I이면 저항(R)은 R=I/V에 의해 1Ω이 계산된다.
KVL(키르히호프의 전압 법칙)
회로내의 임의 폐회로에 대하여 이 폐회로를 한 바뀌 도는 전압강하의 합은 영이다.즉
=0
KCL(키르히호프 전류의 법칙)
회로내의 임의 노드에 대하
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PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
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전류 및 전압은 정상상태에서 항상 주파수 ω를 갖게 된다. 이 관계를 이용하면 회로내의 모든 전류 및 전압은 그 진폭과 위상만에 의해서 일의적으로 규정된다. 예를 들어
의 관계가 성립하므로, v는
로 정의되는 V에 의해서 일의적으로 규정
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키르히호프의 법칙을 적용하여 3.2를 반복하라.
3.4 [그림 6-5]의 브릿지 회로에 대해 테브난 등가회로를 구하라.
여기서 사용되는 전원 및 저항은 다음과 같다,
(V = 5V, R = 100, R = 220, R = 330 R = 470)
3. [그림 6-5]의 회로에 대해 3.2를 반복하라. 1.
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PSPICE Simulation
1) 실험1
회로의 전류(111mA)
스피커 전압(885mV)
분석 : 회로의 전류를 구한후 이것을 스피커 양단의 전압을 통하여 스피커의 임피던스를 구하면 885m/111m=7.97Ω이 되는 것을 알 수 있다.
1차측 전압
2차측 전압
분석 : 1차측 전압은9.61mV
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Pspice Simulation
1) BJT와 R로 구성된 회로(Inverter)
<회로 1> Pspice로 구현(VI=0V) simulation 결과 Vo=5v
<회로 1> Pspice로 구현(VI=5V) simulation 결과 Vo≒0V
2) BJT와 R로 구성된 회로(Nor-gate)
<회로 2> Pspice에 구현 (VI1=VI2=0V)
simulation 결과 Vo=5v
<회로 2&
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