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증가는 하지만 점차 그 증가폭이 작아지는 추세로 되는 것이다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초 전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본이론
3. 사용 기기 및 부품
4. 실험방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고
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측정한 측정값은 표준 값과의 차이를 보였으며 작게는 0.2 크게는 0.4 정도의 오차가 발생하였다. 실험 중간에는 실험자의 실수로 인하여 가변저항단자가 부서지는 일도 생겼었다. 측정결과가 나오지 않자 가변저항을 너무 세게 돌려서 생긴
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저항값이 1Ω인 저항들을 연결한 것이다. 전체 저항 값이 다른 하나를 고르시오. (서일, 배명)
23. 오른쪽 그림과 같은 전기 회로에 의 전압을 걸어줄 때 회로에 흐르는 전류의 비는 ? (동명, 일신여)
① 1 : 1 : 1② 2 : 1 : 1
③ 5 : 2 : 3④ 5 : 3 : 2
⑤ 13
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측정
1. 요약
2. 서론
3. 본론
- 정현파[SINE WAVE]
- 정현파의 주기
- 정현파의 주파수
- 주파수와 주기의 관계
- 교류회로의 해석
- 접지와 연결되지 않은 부품의 전압 측정
- 전압 분배법칙
4. 결과분석 및 결론
5. 참고문헌
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이용하여 자의 공진주파수를 찾아야 하기 때문에 아주 정확한 값을 찾기가 쉽지 않았다.(1차모드에서 3차모드로 갈수록 이 요인에 대한 오차가 클 수 있는데 이번 실험값의 오차를 보면 3차모드로 갈수록 오차율이 작아진 것을 보면 Function Gene
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이용하여 STEADY STATE에서의 63%가 되는 부분까지의 기울기를 구하는 방법을 충분히 숙지하여야 다음 실험시 문제가 되지 않는다. RC회로에서 이론에서 살펴보고, 실험에서 측정하였듯 시상수로 정의할 수 있다. RC회로의 직렬/병렬 등가 커패시
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5. 참조
1. http://en.wikipedia.org/wiki/Sputtering
2. http://www.iktm.com/
3. http://www.pvd-coatings.co.uk
4. http://www.msi-pse.com/magnetron_sputtering.htm
5. 유도결합 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용한 TiB₂박막의 저온 증착 및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울
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측정하는 방법이다. Conductance는 저항의 역치이다. 이 원리를 이용한 기기로는 박토미터(Bactometer)와 맬더스(Malthus)가 있다. 표준평판배양법의 결과를 이 기기의 감지시 간(Detection time)과 관계시켜 두 방법간의 상관관계가 0.95 이상되게 보정 (cali
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측정하여 표1에 기입하고 부하저항을 떼낸 노드9의 전위값을 또한 측정하여 표1에 기입한다.
※ 노드 1,2출력전압 파형(pspice)(최대값 :50mV/49.9mV)
※ 노드 1출력전압 파형(실험값)(50mV/div, 2ms/div)
※ 노드 2출력전압 파형(실험값)(20mV/div, 2ms/div)
※
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저항 양단의 전압과 커패시터 양단의 전압을 측정한 후 표 14.4와 같은 순서로 합성 커패시턴스 를 구하라.
다음은 세 개의 커패시터를 병렬연결하여 위치시킨 후 위의 과정을 반복하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자
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