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1개의 개시제 조각을 포함하게 된다. 이 두 반응은 경쟁적으로 일어나게 되며, 고분자의 종류나 중합조건에 따라 그 상대적인 기여도가 달라지게 되는데, 일반적으로 결합반응이 우세하다. 그 이유는 불균등화반응은 수소 원자의 이동을 위하
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사용부품, 공구
만능기판
FND
0.33uF커패시터
10K·33K저항
스위치
IC(HA17555, 74LS192, 74LS47, 74LS10)
AA Size 건전지x4ea용 건전지홀더
전선
와이어스트립퍼
납땜인두 1. 제작동기
2. 사용부품및 공구
3. 사용IC Data Sheet
4. 작품의 동작
5.
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10K·33K저항, 스위치, IC(HA17555, 74LS192,
74LS47, 74LS10), AA Size 건전지x4ea용 건전지홀더, 전선, 와이어스트립퍼, 납땜인두
4. 회로도 구성
Orcad Capture프로그램으로 회로도 구성
5. 브레드보드에의 예비 구성
6. 만능기판에의 실제 구성
자리 배치를 확인
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1 Program Mode” 로 하여 다음에 있는 프로그램을 입력한다.
3) 공기압을 투입하고, 압력조절기를 조절하여 공기압을 3기압에 맞춘다.
4) 차단기 스위치를 ON 시킨다.
5) Program Loader를 "RUN" mode로 전환시킨다.
6) 물체를 이동시켜서 LS1에 접촉이 되게
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1개)
12V 전압->5V 전압 변경 IC
NOPB SWITCH (4개)
Reset, Selector, Input, Enter 입력
SPST SWITCH (1개)
74190N의 UP/DOWN 스위칭 입력
LED-Diode (초록1, 빨강 1, 노랑3)
입력위치와 결과를 확인하기 위한 요소
보드
회로의 기반
납
단자들을 간 연결
전선
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다행이다.
그리고 실험을 통해 알아본 각 회로의 결과를 아래에 표시한다.
A
B
Y
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
A
B
Y
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
A
B
Y
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
<74LS08> <74LS00> <74LS02>
A
B
Y
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
A
Y
0
1
1
0
<74LS32> <74LS04>
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전선 속의 도선만 남고 껍질은 벗겨진다.
: 우리는 주고 전선의 피복을 벗겨서 그라운드와 V를 두르는 데 사용하였다.
최종 회로도 및 Multisim 실험 결과
- 최종 회로도
- Multisim 시뮬레이션 시작
- Multisim 시뮬레이션 1초 후
- 시뮬레이션 중 분주
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10M의 주파수를 받아주는 인버터가 동시에 존재 하여서 간섭 현상 때문인 것 같다. 전류가 빠르게 바뀌기 때문에 큰 자기장이 생성되어 옆에 칩에도 영향을 주는 것으로 간주 된다. 그래서 Oscillator 전용 인버터를 구성하였다. 구성 후 측정을
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1 , T2 : 리밋 스위치에 의하여 작동하며 정지시간을 설정한다.
⊙인터록 MC(R)-b , MC(F)-b : 정 운전시 역운전이 안되게 하고 , 역 운전지 정 운전이 안되게 한다.
⊙자기유지 MC(F)-a , MC(R)-a : 타이머 한시 a접점에 의한 작동후 자기 유지시킨다.
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1) 전진 행정
전진 행정의 동작 원리는 연속동작용의 start스위치를 ON시키면 릴레이 코일
R-start이 연결되고 자기 유지되며(이후 start스위치가 떨어져도 작동에 영향을
주지 않는다) R-start스위치가 연결되면 LS1스위치가 연결되고 R2를 지나 코
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