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은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 을 이
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1. 반도체 소자
반도체를 소재로 하여 만든 회로소자
재료: 게르마늄, 규소, 아산화구리 ·황화카드뮴 등
성질상 구분: n형 ·p형 ·진성(眞性) 등, 그들을 단체(單體)로, 또는 몇 개를 서로 접합해서 사용
다이오드나 트랜지스터 ·사이리스터
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, 드레인(Drain : D), 게이트(Gate : G) 3개의 전극이 있다.
그림 (19) FET의 구조
① 접합형 FET
㉠ 소스와 드레인 2개의 전극을 가진 n형 반도체 안에 게이트 전극을 가진 p형 반도체를 형성해서 만들어진 것으로 소소와 드레인 사이의 전류가 n형 반도
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N형과 P형 반도체는 접합형식에 따라 PNP형과 NPN형 반도체 등으로 다양하게 구분될 수 있다. 가장 기본이 되는 P형-N형 접합의 경우 P형 반도체에 +전압, N형 반도체에 전압이 걸려 순방향 바이어스로 전류는 흐르지만 반대로 전압을 걸면 역방향
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n형 반도체에서 B의 값이 증가할수록 양의 값으로 의 값이 증가함을 보인다.
1) n형 반도체일 때 홀 계수 의 값을 구해보면
, 여기에서
→ 기울기 ×
⇒ 0.1791(mV/mT) × =
∴ = 이론값 =
오차 = ⇒
2) n형 반도체일 때 케리어 농도 n을 구해보면
∴ 이
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n형 반도체의 접합으로 이루어져 있으며, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자 소자이다. LED의 확대는 소형광원 및 색설계가 가능하고 소비 전력이 적어지며 수
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N형 반도체를 사용하고, 빛을 비추면 내부에서 전하가 이동하고 P극과 N극 사이에 전위차가 생긴다. 태양빛의 에너지를 전기에너지로 바꾸는 것이 태양전지이다. 이 태양전지는 지금까지의 화학전지와는 다른 구조를 가진 것으로 ‘물리전지
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