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회로가 나오면 뭐가 더 큰지 일일이 계산을 했어야 했는데 이번 실험을 통해서 그 사실을 눈으로 확인을 해서 더욱더 기억에 남을거 같다. 1. 실험 결과
표 8-1. 직렬저항회로의 소비전력 계산
표8-2. 직병렬 저항회로의 소비전력 계산
2.
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17)
이다. RL 회로나 RC 회로의 경우에는 식 (14)-(17)에서 각각 C에 해당하는 항이나 L에 해당하는 항을 0으로 놓으면 된다.
그림 6. RLC 직렬 연결 회로에서의 impedance의 합성
3. 실험기구
가변 교류 전원 (60 Hz, 0-5 V)
저항 (1 k , 2 W)
코일 (1 mH, 50 mA, 250 )
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회로 전류의 페이저도
임피던스는
(24)
가 된다. 병렬 회로의 리액턴스는 구성 성분에 의해 다음과 같다.
RC 병렬회로 : (25)
RL 병렬회로 : (26)
RLC 병렬회로 : (27)
4.결과 예상치 :
RLC 직렬 회로
(1)입력전압(V)
전원 : 18Vp-p,60Hz
->
(2)회로에서의 임피
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결과
1. [시정수 측정]
위와 같은 회로를 꾸민 회로를 바탕으로 오실로스코프를 이용해
시정수를 측정하여 표에 기록하였다.
RL 회로
시정수(sec)
R
L
이론값
측정값
1㏀
10mH
이론값은 시정수 (τ) = 이기 때문에 이 된다. 이번실험을 통해서 오실로
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회로에서 주파수, 인덕터, 캐패시터의 값을 변화 시켜가며 파형의 변화를 관찰하는 시간이었습니다. 그 결과로 인덕터는 회로에서 전압을 지연시키고, 커패시터는 회로에서의 전압이 앞서게 되게 하고, 저항은 주파수에 영향을 받지 않고, 커
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회로, 단계4는 바이패스 커패시터가 없는 경우, 단계8은 무부하시 공식을 사용했다.
- 실험 결과와 이론값의 오차가 5%이상 조금 많이 난 이유를 생각해보면, VE 값과 VC의 계산값을 구할 때, 측정해야하는 값 VBE와 IC, RC가 필요한데, 이 과정에서
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결과
RLC 회로에서는 주파수가 커질 때 전류는 점점 커지다가 어느 순간부터 작아지고 반대로 위상차의 절댓값은 점점 작아지다가 어느 순간부터 커지는 것을 볼 수 있다.
RC 회로에서는 주파수가 커질수록 위상차가 작아지고, RL 회로에서는
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없었고 결과 데이터도 첫 번째 실험과 유사하게 나왔다.
이번 실험에서 확인할 수 있었던 기본 공식은 이전 실험에서 배웠던 전압관계 공식과 비슷해 실험 전반을 이해하는데는 큰 어려움이 없었다. RL, RC회로에서의 전압관계 실험과 비교해
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시정수에서 완전충전 되었다고 간주한다.
방전시의 시정수 또한 위와 같으며, 동작 원리도 충전과 같다. ① 인덕터(Inductor)와 인덕턴스(Inductance)
② 인덕턴스의 직병렬 연결
③ 커패시터(Capacitor)와 커패시턴스(Capacitance)
④ RC 시정수
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직병렬 회로에 직접 적용하여 그 특성을 확인하였다. 직렬연결 시 다이오드는 각 소자마다 문턱 전압만큼 전압 강하가 일어났으며, 병렬연결 시는 몇 개를 연결하던 가장 작은 쪽의 문턱 전압을 나타내는 것을 확인 할 수 있었다. 그 특성을
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