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RC 회로에서의 시스템 해석을 통해서 C값을 어떻게 출력하는지만 공부 할 수 있었던 게 아니었습니다. RC회로에서 전달함수를 구하는 방법 DC gain을 구하는 법 많은 것들을 공부할 수 있었던 것 같습니다. 자동제어 수업시간 하는 내용이랑 많이
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RC=20초 이므로 t=13.86초
따라서 전하량이 처음의 반이 되는 시간은 13.86초이다.
6. 토의 및 결론
이번 실험은 저항과 콘덴서로 이루어진 RC회로의 충,방전시 시간에 따른 전류와 전압의 변화를 알아보기 위한 실험이었다.
우선 측정한 값으로 각
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RC이론값
입력전압
입력전압0.632
걸린 시간
오차
(%)
충전
방전
100Ω
330 μF
0.033
5
3.2
0.0334
0.0334
0.04
충전
방전
1
2
3
4
5
6
6. 실험 분석 및 토의
전기 회로에 전압을 가하게 되면 전류는 점점 증가하여 정상치라는 일정한 값에 이르게 된다. 이 정상치
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RC회로
주파수
[V]
[V]
[V]
이론값
실험값
이론값
실험값
이론값
실험값
1000Hz
10
7.3
7
6.9
6.8
2183.7
2152.7
1500Hz
10
5.8
5.5
8.2
7.6
1837.3
1851.6
2000Hz
10
4.5
4.5
8.8
8.4
1684.7
1701.7
,
② RL회로
주파수
[V]
[V]
[V]
이론값
실험값
이론값
실험값
이론값
실험값
1000Hz
10
7.
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RC 회로
시정수(sec) [=RC]
비 고
R
C
이론값
측정값
1kΩ
10㎌
0.01
1kΩ
100㎌
0.1
10kΩ
10㎌
0.1
10kΩ
100㎌
1
(2) [미적분 회로] 그림 10-2, 그림 10-3에서와 같은 회로를 꾸미고 각각의 회로에 RC 회로의 입력단에 함수발생기를 이용하여 “삼각파”, “사각파
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회로
-RC회로
Vo(t) = Ri(t) = R(dVc(t)/dt) R(dVi(t)/dt) for Vc(t) ≫ VR(t)
-RL회로
Vo(t) = VL(t) = L(di(t)/dt) = L(dVR(t)/dt) * 1/R 1/R(dVi(t)/dt) for VR(t) ≫ VL(t)
-적분
회로
-RC회로
Vo(t) = Vc(t) = 1/C ic(t) dt = 1/C VR(t)/R dt 1/RC Vi(t) dt for VR(t) ≫ Vi(t)
-RL회로
Vo(t) = VR(t) =Ri
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RC회로를 충전할 때
RC회로를 방전할 때
분
석
1.시정수
시정수 =RC이다. 따라서 실험조건의 저항 100K옴 과 100을 대입하면
시정수 =100*10*100*10이다. 따라서 시정수 R은 10이된다
2. 충전값
위의 이론값을 그대로 그리면 그래프의 추세선을 이용한 RC
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RC회로를 충전할 때
RC회로를 방전할 때
1.시정수
시정수 =RC이다. 따라서 실험조건의 저항 100K옴 과 100을 대입하면
시정수 =100*10*100*10이다. 따라서 시정수 R은 10이된다
2. 충전값
위의 이론값을 그대로 그리면 그래프의 추세선을 이용한 RC값을
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fN = 1 / (4πRC)
이 실험에서, R = 10kΩ, C = 0.001μF이므로, fN = 7957Hz 이다.
각 주파수에 따른 값을 그래프로 나타내면 다음과 같다. 표는 생략한다.
세로축의 단위는 Vp-p, 가로축의 단위는 kHz이다.
위에서 구한 fN값(7957Hz)에 근접하였을 때, 필터가 출력
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RC회로를 설계하여 시정수를 측정하였다. 시계를 이용하여 시정수를 측정하는 실험에서는 DMM의 내부저항 R=22MΩ과 커패시터 C=2.154μF를 사용하여 회로를 설계해 시정수를 측정하였다. 이때 DMM은 전압측정 mode로 하여 측정하였다. 계산치와 이론
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