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별 Vo/Vi을 보면 이론적인 값보다 0.02~0.05V정도 작게 측정된 것을 확인할 수 있다. 특히 WL/R=1 일 때 즉 차단 주파수일 때 Vo/Vi가 0.65로 측정되어서 이론적인 값인 0.707과 8.07%만큼의 상대오차가 발생하였다. 1. 실험 측정치
2. 결과
3. 고찰
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사용법
실험 12. 신호 발생기의 동작법
실험 13. 계측기의 고급 사용
실험 14. 교류 회로 소자 (인덕터 및 커패시터)의 특성
실험 15. RC, RL, RLC 회로의 임피던스 및 전력 측정
실험 16. RC 및 RL 미적분 회로
실험 17. 직렬 RLC 회로의 주파수 특성
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회로의 저항의 전압, 캐패시터의 충전/방전 전압과 전류의 파형을 살펴보면 [그림6]과 같다.
2) RL 충전회로의 전류, 전압 특성(전류 충전/방전)
● 충전시 SW스위치는 D로 연결됨(초기 인덕터 전류는 이라고 가정한다).
인덕터 전류에 대하여 동
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미적분학은 정말로 밀접한 관련이 있음을 알 수 있다.
III. 결론
탐구결과: 오늘 나는 이 보고서에서 키르히호프의 전압법칙과 RL회로의 미분방정식, RC회로의 미분방정식을 통하여 반도체 회로를 구성하는 반도체 소자들에 적용되는 공식을
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파 , 출력전압 cos파
3. 분석
RC 직렬 회로에서 R과 C순으로 회로를 꾸미고 10kHz의 10V 전압을 주고 나온 결과 그래프입니다. 이 경우에는 저항 양단에 걸리는 전압이 매우 커서 입력 전압과 거의 같게 됩니다. 그래서 출력 전압인 커패시터 양단의
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결과와 비교한다.
(9) R과 L에 걸리는 전압의 위상차 ψ = tan-1()를 계산한다.
◎ R-C 회로
<R-C 회로>
(1) 교류전원으로 함수발생기(전원이 꺼진 상태)를 사용하여 Bread Board에 저항과 코일을 <R-C 회로>그림처럼 연결하여 직렬 R-C 회로를 구성.
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마찬가지로 첫 번째 실험과 같이 측정하였다. 오차가 좀더 작았으면 하는 바람도 있었지만 전체적으로 실험이 잘된 것 같아서 기분이 좋았다. 1.제목
2.목적
3.이론
4.실험 장치
5.실험 방법
6.실험 결과
7.결과 및 고찰
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회로에 미치는 영향을 설명하라.
이 회로에서 을 구하기 위해서는 인덕터와 저항에 병렬로 걸리는 전압을 구하면된다.
전압분배법칙을 하면, 전압이득 5=
이식은 인덕터와 저항의 병렬 연결과 커패시터배를 더한것과 같은 식이 나온다. 이 값
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회로
-RC회로
Vo(t) = Vc(t) = 1/C ic(t) dt = 1/C VR(t)/R dt 1/RC Vi(t) dt for VR(t) ≫ Vi(t)
-RL회로
Vo(t) = VR(t) =Ri(t) = R/L VL(t) dt R/L Vi(t) dt for VL(t) ≫ VR(t)
3. 실험 방법
(1)RC미적분 실험 회로에서 R1=R2=100㏀, C1=C2=0.001㎌을 위치시키고 신호발생 기를 이용하여 1
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키르히호프 전류 법칙을 적용하면
이 됨을 알 수 있었습니다.
따라서 병렬로 연결 했을 때의 합성 인덕턴스 값은 이 되는 것입니다.
즉 저항의 직렬 병렬 때의 합성 저항 구하는 식과 같음을 알 수 있었습니다. 1) 결과 및 고찰
* 고찰
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