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회로(CDR) 10
3.1.1 위상 동기 회로(PLL) 12
3.1.2 위상 주파수 검출기(PFD) 14
3.1.3 전하펌프 루프 필터(CP, LPF) 15
3.1.4 전압제어 발진기(VCO) 16
3.1.5 데이터 복원단(D-FF) 17
3.2 10Gbps CDR 설계 18
3.2.1 위상 주파수 검출기 설계
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Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp145-146.
위키백과, 검색어|노튼의 정리,
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%B8%ED%8A%BC%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC 1. 목적
2. 관련이론
2.1 노튼의 정리
2.2 테브닌 등가회로와 노튼 등가회로의 관
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전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp61-64.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp130-131.
네이버 백과, 검색어|선형사상, http://100.naver.com/100.nhn?docid=91219 1. 목적
2. 관련이
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판 상학당, 2009, pp68-72.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp150-151.
네이버 용어사전, 검색어|정합회로, http://terms.naver.com/item.nhn?dirId=215&docId=14926 1. 목적
2. 관련이론
2.1 최대 전력 전달(Maximum Power Transfe
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of The Korea Electromagnetic Engineering Society, Vol.6, No.3, pp. 171~175, Sep. 2006.
[5] David M.Pozar, Microwave Engineering 3rd ed., Wiley, 2005.
[6] B. Razavi, RF Microelectronics, Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998. 1. 서론
2. 설계 개념
(1) 설계 기본 개념
(2) 시스템 기능
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회로에서는 각 저항에 걸리는 전압이 일정하므로 각 저항에 역수에 비례하여 전류가 분배 되어진다.이것이 [전류분배법칙]이다.
7.Appendix
참고문헌 : 전기전자기초실험 , 대한전자공학회편 , 청문각
Fundamentals of Electric circuits , McGRAW-HILL
http://bl
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회로에서의 전압과 전류가 중첩의 원리를 통하여 실험 없이도 쉽게 계산 해 낼 수 있다는 것을 알 게 되었다.
7.Appendix
참고문헌 : 전기전자기초실험 , 대한전자공학회편 , 청문각
Fundamentals of Electric circuits , McGRAW-HILL 1. Title
2. Name
3. Abs
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회로도
Appendix A.1 TMS320C32 CPU peripheral interface
circuit diagram
부록 A.2 외부 메모리 인터페이스 회로도
Appendix A.2 External memory interface circuit diagram
부록 A.3 음성 코덱칩 인터페이스
Appendix A.3 Speech Codec-chip interface
부록 A.4 LCD 주변 회로도
Appendix A.4 LCD
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통합 조절)
15.4 동물의 글리코겐 대사
15.5 Coordinated regulation of Glycogen synthesis and breakdown
16장. The Citric Acid Cycle
16.1 Acetyl CoA(activated acetate)의 생성
16.2 Citric Acid Cycle의 반응
16.3 시트르산 회로의 조절
16.4 The Glyoxylate Cycle
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Purpose of the Experiment
Understanding the principle and characteristics of the MOS Capacitor
C-V, I-V analysis in accordance with the thickness of the Al2O3 insulator
Insulator thickness (6nm, 12nm, 18nm)
Experimental Background
MOS Capacitor
MOS Capacitor structure
MOS Capacitor pri
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