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실험 측정을 3가지 방법으로 접근 하므로써 우리는 전하량에 따른, 거리에 따른, 방전특성에 따른 전하량으로 쿨롱의 법칙에 대해 잘 살펴 볼수 있을 것이다.
⑥참고문헌 및 출처
1.일반물리학 교재.
2.http://blog.naver.com/dksxhworhks?Redirect=Log&logNo=40
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실험 방법
1. Power on
2. computer on →C:\win →Jasco FT-IR
3. KBr을 작은 스페쥴라로 하나 정도 넣는다.(이번에 실험할 때는 작은술로 2번 넣었다.)
4. 사용했던 스페쥴라를 항상 아세톤으로 깨끗이 닦는다.
7. Sample을 KBr의 1/100정도 미량 넣는다.
(backgroun
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실험방법
1.아세트산을 0.5N부터 0.0156N까지 여섯 가지 농도로 조제한다.
2.0.175N 아세트산 200ml를 준비한다.
3.삼각플라스크에 각각 농도가 다른 아세트산 용액을 200ml씩 넣는다.
4.활성탄을 약 2g씩 mg 단위까지 정확하게 재어서 각각의 플라스크에
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서는 안된다는 점에 유의하고, 각 용액의 온도를 기록한다.
④ 각 거른액을 피펫으로 25ml씩 취하여 삼각플라스크에 담고 페놀프탈레인 지시약을 2~3방울을 가한 다음 0.1M HCl로 적정한다.
⑤ 항온조가 있다면 온도가 다르게 하여 실험을 반복한
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실험자가 판단하여 조절할 수 있으나 횟수가 많을수록 정밀도가 높아짐을 기억하라.
3. 추의 질량을 증가시켜 같은 방법으로 추의 질량 의 변화에 따른 진동주기 를 구한다.
4.질량 대 의 그래프를 그려 최적 직선을 찾고, 그 직선의 기울기와
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실험한다. 이때도 역시 추를 매달아서 늘어난 길이의 절반 이상으로 들어올리지 마시오.
13. 질량을 100g으로 바꿔서 8-11을 반복한다. 5cm정도의 진폭을 사용한다. 이 화면상에서 100g의 질량으로 충분한 실험이 이루어질 수 있도록 하라. 몇 가지
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실험을 통해서 그 재료의 특성을 알아 보고자 한 실험이었다. 우리가 실험한 인장 시편은 ASTM 3호 시편 이었다. 시간이 부족해서 실험을 제대로 하지 못해서 아쉬움은 남지만 인장시험의 목적과 그에 따른 이론들을 실험시 듣고, 또 보고서를
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전기전자공학기초실험-RLC 회로의 과도현상
목차
I. 전기전자기초실험 예비보고서
1. 실험목적
2. 실험 준비물
3. 실험이론
4. 예비실험값
II. 기전자기초실험 결과보고서
1. 결과
2. 결과토의 및 고찰
I. 전기전자기초실험 예
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전기전자공학기초실험--공통 베이스 및 공통 콜렉터 트랜지스터 증폭기
목차
1. 전기전자기초실험 예비보고서
1) 실험목적
2) 실험이론
3) 실험순서, 피스파이스 및 예비실험값
2. 전기전자기초실험 결과보고서
1) 결과값
2) 종
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전기전자공학기초실험-공통 소스 및 공통 게이트 트랜지스터 증폭기
목차
Ⅰ. 전기전자기초실험 예비보고서
1. 실험목적
2. 실험 이론
3. 실험순서 및 예비실험값
Ⅱ. 전기전자기초실험 결과보고서
1. 결과
2. 실험 토의 및 고찰
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