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The optimum annealing temperature for the maximum PL yield strongly depends on the film thickness and varies from 800 to 1200 °C.
The PL intensity is directly related to the content of the Si–-N bonds in the SiNx films.
Excessively high annealing temperatures lead to weakened Si–-N
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Annealing, Tabu Search
- 탐색기법(Search) : Constraint Programming
2. Simulated Annealing개념
2.1 SA 정의
SA란 Simulated Annealing을 말한다. 여기서 Simulated 는 '가상의, 흉내낸, 모의의' 이런 뜻이고 Annealing이란 ‘풀림’이란 뜻이다.
2.2 SA 알고리즘 아이디어
일
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annealing)은 일어난다. 만약 온도가 재결정온도보다 낮다면 냉간가공이 되고, 재료는 변형강화가 되므로, 그러한 공정의 온도는 반드시 재료의 재결정온도보다 높아야 한다. 열간가공은 재료를 변형하는데 적은 에너지를 필요로 하고, 주어진
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기법들을 한 문제에 적용하여 상호보완효과를 기대 할 수도 있음현실 세계에 존재하는 다양한 영역으로부터 고안 Step #1. Metaheuristic?
Step #2. Genetic Algorithm
Step #3. Simulated Annealing
Step #4. H.C.와 G.A., S.A.
Step #5. 결론, 참고문헌
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간
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