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박막의 저온 증착 및 접착력 향상 기술에 관한 연구 이승훈, 서울대학교 대학원, 2006. 1. 박막 증착법의 원리에 따른 구분
2. 스퍼터링 방법 종류와 그에 대한 설명 및 비교
3. 박막의 특성평가 방법들의 종류와 그 원리 및 얻게 되는 정
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스퍼터링의 정의
▶ sputtering의 발생
▶ Sputtering의 장점
▶ 스퍼터링 공정
▶ 스퍼터링 코팅의 종류
▶ 스퍼터링의 응용
▶ 기체 방전
▶ Target 표면의 반응
▶Substrate 표면반응
▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이
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- RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 제조된 AlN 박막의 증착 특성 - 한국세라믹기술원 나노IT소재팀 , 한양대학교 신소재공학과
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스퍼터링은 스퍼터링된 원자와 기체의 충돌이 많아 증착률이 낮고, 방전 전압이 수 kV로 높아야 하며, 때로는 방전이 불안정하다. 또한 전자가 양극의 박막과 충돌하여 온도를 상승시키며, 높은 압력에서 증착하므로 박막에 불순물이 들어갈
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Enhanced Chemical Vapor Deposition)
5.3. APCVD
6. 분자빔 결정법(MBE)
7. 박막 증착의 예
7.1. 실리콘 박막 트랜지스터(TFT)
8. PVD와 CVD의 차이 비교
9. 증착법의 실제 적용 분야
9.1. 증착법의 기술전망
10. 포토리소그래피
11. 식각
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박막을 검사한다.
● 스퍼터링(sputtering)
텅스텐과 같은 고융점 금속을 진공증착하는 것은 곤란하지 때문에 스퍼터링법을 사용한다. 스퍼터링이란 이온펌스에서 설명했듯이, 이온이 금속에 충돌하면 금속원자가 튀어나오는 현상이다. 이 스퍼
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박막기술의 발전과 함께 고용량의 비휘발성 기억소자가 개발될 전망이다. 이렇게 되면 앞으로 DRAM의 상당부분이 이 비휘발성 기억소자로 대체될 것으로 보인다.
○ 강유전체 특성
자발분극을 가진다.
외부전기저항에 대하여 자발분극의 방향
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스퍼터링 등의 방법으로 서미스터 박막을 형성하여 사용하기도 한다. 서미스터 볼로미터는 기계적 진동이 강하며 상온에서 사용할 수 있다는 장점이 있다.
<그림 9. 서미스터 볼로미터의 구조 - 최신 센서공학(김한근, 박선국 공저) P.68 참조
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박막을 얻을 수 있다. 이 장치는 <그림1-18>에서 보여준 것과 유사한 것인데, 즉 전극 ②와③ 사이에 고주파 전원을 걸어 준 것이 그것과 다를 뿐이다.
b. 진공 증착과 음극 스퍼터링과의 차이점
Ⅰ. 진공 증착시에는 도가니가 용해되어 막
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박막을 얻을 수 있다. 이 장치는 <그림1-18>에서 보여준 것과 유사한 것인데, 즉 전극 ②와③ 사이에 고주파 전원을 걸어 준 것이 그것과 다를 뿐이다.
b. 진공 증착과 음극 스퍼터링과의 차이점
Ⅰ. 진공 증착시에는 도가니가 용해되어 막
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