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증착법에 의한 피복물질
피복방법
피복물질
가열온도(K)
증발원
증착속도
(10-9 m/s)
물리증착법
(PVD)
진공증착
Me
≥RT
금속
1.67-1250
sputtering
Me, MexBy, MexCy, MexNy,MexOy,MexSy,
기타 합금
“
금속, 합금
금속화합물
0.17-16.7
ion plating
“
“
“
0.50-833
ion beam
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해서 말을 하면 전자빔 증착 방식은 15KeV 까지의 에너지를 가진 고강도 전자선이 증발될 물질을 포함하고 있는 소스 표적에 집중이 된다. 그리고 전자빔으로부터 나오는 에너지가 표적의 일부분을 녹이게 되고, 물질은 소스로부터 증발되어
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쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
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증착(CVD)법
1) 熱 CVD
2) 플라스마 CVD
3) 光 CVD
4) MO-CVD
5) 레이저 CVD
2. 원자층 화학박막증착법(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD)
3. PVD(physical vapor deposition)법
1) 진공증착(evaporation)
2) 스퍼터링(Sputtering)
3) 이온플레이팅(ion pla
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PVD (물리증착법 : Physical Vapor Deposition)
1. PVD에 의한 코팅방법
2. PVD에 의한 코팅법 종류
3. PVD에 의한 코팅법의 방법 및 원리
1 Evaporation Process
2 Sputtering Process
3 Ion Plating Process
Ⅱ. CVD (화학기상증착 : Chemical Vapor Deposition)
1. CVD 정의
2. CVD 응용
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