전자회로실험 결과보고서-JFET 특성전달 곡선

소개글

전자회로실험 결과보고서-JFET 특성전달 곡선에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험목적

2. 배선(회로)도

3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비

4. 데이터표

Data값에 대한 분석(결론)

Discussion

실험 20장에 대한 복습문제

본문내용

즉 VGS의 최대값인 VGS(off)를 확인할 수 있다.
3. 그림 20-1의 시험회로에서 다이오드는 무엇을 위해 쓰이는가?
(a) 드레인전류의 최대값을 제한하기 위해
(b) 게이트와 소스 접합을 순방향 바이어스하기 위해
(c) 게이트와 소스 접합을 역방향 바이어스하기 위해
(d) JFET를 과도한 게이트전압으로부터 보호하기 위해
⇒ 이 실험에서 순방향 전달컨덕턴스를 구하기 위해서는 다이오드의 게이트와 소스전합을 순방향 바이어스로 할 필요가 있다.
4. 그림 20-3의 곡선으로 구할 수 있는 것은?
(a) IDSS (b) VGS(off) (c) gm0 (d) 앞의 것 모두
⇒ 위의 곡선을 토대로 IDSS는 옴의 법칙을 토대로 구할 수 있으며 VGS(off)값은 Y축이 0점일 경우 X축의 최대값, 그리고 gm0값은 2×IDSS/|VGS(off)| 공식을 이용해 구할 수 있다.
5. gm0=500㎲이고 VGS(off)=-3V이면 IDSS는?
(a) 0.6㎃ (b) 1.2㎃ (c) 7.5㎃ (d) 15mA
⇒ gm0 = 2 × IDSS / | VGS(off) | 으로 500㎲=2 × IDSS / | -3V| 을 이용해 구해 보면 7.5mA의 값이 나오게 된다.

키워드

JFET ,   특성전달 곡선,   전자회로실험