목차
1. 목적
2. 이론
1) 옴의 법칙(Ohm\'s law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 = 1.5kΩ
3. RL3 = 2.2kΩ
4. RL4 = 3.3kΩ
5. RL5 = 5.6kΩ
6. RL6 = 12kΩ
7. RL7 = 27kΩ
8. RL8 = 33kΩ
9. RL9 = 47kΩ
10. RL10 = 68kΩ
4. 측정 결과(표)
5. 결론
6.실험을 마치고
※ 오차 원인
2. 이론
1) 옴의 법칙(Ohm\'s law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 = 1.5kΩ
3. RL3 = 2.2kΩ
4. RL4 = 3.3kΩ
5. RL5 = 5.6kΩ
6. RL6 = 12kΩ
7. RL7 = 27kΩ
8. RL8 = 33kΩ
9. RL9 = 47kΩ
10. RL10 = 68kΩ
4. 측정 결과(표)
5. 결론
6.실험을 마치고
※ 오차 원인
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