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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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서 실험한 전압분할 회로에 부하를 추가하면 전압 뿐만 아니라 회로에 흐르는 전류에 변동이 생긴다는 것을 알게 되었다. 그래서 부하에 무관하게 일정한 전압을 공급할 수 있는 이상 전압원이 필요하다는 교과서의 내용을 깨닫게 되었다. 교
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회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의 경우 IL = 4.862mA, 노튼 등가 회로의 경우 IL = 4.886mA 로
이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
계산된 결과값과 측정값이 근사하므로, 노튼 정리
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점점 축척이 되고, flash switch를 닫았을 때, 그 축적된 에너지가 방출이 되는 것이다. 그럼으로써, 짧은 시간동안에 큰 전압을 발생시킬 수 있는 것이다.
3. Reference
-Principles of Physics
-회로실험 교재 1.실험결과
2. 토의
3. Reference
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결과, PSpice시뮬레이션의 통한 예상된 값 & 이론값과 실제 실험을 통해 측정된 값이 거의 일치하였다.
< 3. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
실험 7. 삼각파 발생회로를 통하여 연산증폭기를 이용한 비교기, 적분기의 동작을 기초로 한 구형
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1. 실험 목적
1) 회로의 분석에 사용되는 테브난과 노턴의 정리를 이해하고 응용하는 능력을 키운다.
2) 테브난 실험 회로도를 설계하여 전압원과 전류원의 등가회로를 구한다.
2. 실험용 기기 및 부품
1) 디지털 멀티미터
2) 브레드보드
3)
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회로에서 전체전류는 각 저항에 흐르는 전류를 더한 것과 같다.
▲ Discussion
병렬저항회로를 구성한 후 저항을 하나씩 늘여나가며 합성저항값을 측정하였다.
간단한 회로구성과 기초적인 이론이려서 실험이 매우 쉽게 끝났지만 단순한 공식
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및 장비
○ 전압센서
○ 기초회로 실험 판
○ 축전기 , 110 uF, 330uF
○ 저항기 , 100옴, 330옴 11. 축전기와 전기회로
1.실험목적
2.배경이론
3.실험준비물 및 장치
4.실험방법
5.실험장비 설정
6.데이터분석
7.결과
8.고찰
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1) 목적
저항의 직렬회로와 병렬회로를 이용하여 옴의 법칙과 키르히호프의 전압&전류 법칙을 확인한다.
그리고 각각의 장비의 사용법을 능숙하게 다룰 수 있도록 한다.
2) 실험 내용 및 절차
○1 저항이 직렬로 연결된 회로
● 실험 내
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시 실험결과와 일치했다.
실험회로2
1) 실험과정
2) 실험결과
이번 실험은 정리 8)의 부정법칙을 검증하기 위한 회로로서 74LS04 인버터 두개를 직렬로 연결할 때 출력 상태를 보기 위한 회로이다. 이번 실험 역시 입력은 클럭으로 공급했고, 결과
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