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차이가 없다는 것을 알 수 있다. 이는 내부 저항값 가 매우 작아서 전압강하가 에서 거의 모두 일어난다는 것을 알 수 있다. 1. 기초 실험용 계측장비 사용법 1. 목적 2. 이론 3. 사용부품 및 장비 4. 실험방법 5. 예비보고서 6. 결과보고서
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  • 등록일 2015.10.02
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회로”에서 측정한 값을 비교 하고, [%]오차를 구하라. 의 [%]오차 : 의 [%]오차 : 이번 실험은 테브난과 노턴의 정리를 실험적으로 확인 해보는 것이었다. 실험 결과에서도 알 수 있듯이 테브난와 노턴의 정리가 성립함을 확인 해 볼 수 있었다.
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  • 등록일 2011.05.16
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전원 4. 전압원 5. 전류원 6. 전원의 결합 7. 키르히호프의 법칙 8. 전원 변환 9. 중첩원리 10. 테브난/노턴 등가회로 11. 등가 저항 실험방법 실험 1. 테브난의 등가회로 실험 2. 노턴의 등가회로 실험 3. 휘트스톤 브릿지 회로 예상결과
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  • 등록일 2022.07.14
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회로를 구하는 문제를 풀어본다. Q : 이 문제를 노턴의 정리로 풀면 A : Rn =R2//R3 =(R2)(R3)/(R2+R3) = 2 전압원E을 포함한 단자 a와 b를 단락하고 단락전류 IN을 구한다. In = E /R1 = 3A 이상의 결과로 부하 저항RL을 포함한 등가회로를 그린다. 1. 실험
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  • 등록일 2004.04.25
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실험이라고 생각되었는데 회로를 연결하는 과정에서 생소한 부분이 많아서 어려움을 겪었던 실험이었다. 하지만 실험결과는 예상에 크게 빗나가지 않은 결과를 얻을 수 있었다. 전체적으로 조금씩의 오차가 존재하지만, I=V/R라는 옴의 법칙
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  • 등록일 2015.01.27
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불평형 상태에서 받는 충격을 다소 방지하게 된다. 전기전자기초실험 결과 레포트 2. 전기회로 기본원리 II ▶▶ 테브난, 노턴 등가회로 ※ 실험결과 ▶▶ 최대 전력 전달 조건 ※ 실험결과 ▶▶ 평형 브릿지 회로 ※ 실험결과
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  • 등록일 2007.12.27
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기초전기전자공학실험 / 대한전자공학회 / 2006년 / 공학사 / 실험31. OP Amp 특성 실험 6. 시뮬레이션 실험 책 page 117 에 그림 8.4 을 구하기 위한 회로 을 구하기 위한 회로 1.실험목적 2.이론 3.사용기기 및 부품 4.실험 5.참고자료 6.시뮬레이
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  • 등록일 2012.05.28
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결과값을 비교한 표이다. 이를 살펴보면 이론값과 시뮬레이션 결과가 서로 일치함을 알 수 있다. 이로써 PSpice 프로그램에 의한 시뮬레이션의 유효성을 충분히 확인할 수 있다. 1. 실험 주제 2. 실험 장비 3. 실험을 위한 기초 이론
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  • 등록일 2021.01.07
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기초실험 예비 레포트 전기회로 기본원리 II 학과 학년 학번 분반 실험조 성명 전기전자공학 2 ▶▶ 테브난, 노턴 등가회로 ① 테브난 및 노턴의 정리를 자세히 정리한다. - 테브난, 노턴 정리란 모든 회로망을 임의의 두
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  • 등록일 2007.12.27
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회로를 살펴보면 I1은 I2에 I3를 합한 값이어야 한다. 그러나 multimeter의 내부저 항 rm 때문에 결과가 달라질 것이다. 측정할 수 있는 최대 전류를 20mA로 multimeter를 설정해 놓고 위 실험을 반복하라 3. 등가회로 목적 : 등가회로에서의 테브닌 /노튼
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  • 등록일 2006.11.01
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