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실험결과로부터 중첩의 정리를 입증할 수 있는지 설명하시오.
입증할 수 있다.
Measured Values
Current , mA
Voltage , V
Only
Only
and
Current, mA
Voltage , V
Current, mA
Voltage , V
Current, mA
Voltage , V
두 전원을 갖는 회로의 전압과 전류는
= + = 13.5315
= + = 1.8167
= + = 11
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실험은 직접적인 회로구성이 없었고, 계산값, 이론값으로만 이루어져서, 큰 어려움없이, 오차없이 진행되었다. 그 전에 사용하던 시뮬레이션 프로그램이 바뀌면서, 다른점을 접하게 되었으며, 약간은 달라진 방법이었지만, 사용함에 있어서
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작품선정 배경 및 목적
수업시간에 배운 내용을 토대로
우리가 직접 프로젝트를
진행함으로써 회로에 대해 좀 더 고찰하고 배움
그리고 흥미를 고려하여 전자주사위로 결정함. 1. 작품선정 배경 및 실험목적
2. 일정 및 역할분담
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회로 위상 차 측정
RL 회로 위상 차 측정
인덕터에서는 전류가 전압보다 90도 위상 뒤쳐졌고(lagging),
커패시터에서는 전류가 전압보다 90도 위상 앞섰다(leading).
3. 결론 및 토의
- 실험 가. 나.
구형파 함수를 발생시키고 RC와 RL 회로의 시정수를
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기 때문에 약간의 전류의 변화가 있었다. 위의 그래프는 PSIM으로 전류를 계산한 값을 나타낸 것이다. 전류는 5.56mA 값을 유지했다.
B. 병렬 회로 실험
a. 병렬회로 실험 Data
저항
표시 저항값
전압
측정 전압값
전류
측정전류
계산 저항값
오차(%)
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회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된다.
관계식에서 저항 양단의 전압 이다.
② : : 증가형 EMOSFET의 경우
③ : 출력측에 전압 방정식 에서 를 구한다.
3. 토의
이번 실험에서는 신호를 입력시키기 전에 직류 DC를 가지
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실험을 통해 얻어낸 측정값들 역시 PSIM으로 시뮬레이션 하여 얻어낸 이론값과 거의 일치했다. 직렬회로에서는 모든 저항에 같은 크기의 전류가 흐르므로 저항이 큰 곳일수록 많은 전압이 걸리는 것을 확인 할 수 있었다. 두 개의 루프가 있으
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16[V] / 8000[Ω] = 0.002[A] = 2[mA]
Q3. 회로의 미지저항 R을 구하라.
sol) V=IR이므로 20[mV] / 5[uA] = 4000[Ω] = 4[kΩ]
Q4. 회로의 미지전압 V를 정하라.
sol) V=IR이므로 0.06[mA] * 500[kΩ] = 30[V] 실험 1 Ohm\'s law
1. 실험진행
2. 오차의 원인
3. 확인문제
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회로에서 a, b를 단락시키면 저항 R3와 R4는 무용지물이 되고 전압원, R1, R2가 직렬로 이루어진 회로(그림 15)가 되며, 이때 이 회로에 흐르는 전류가 IN이 됨을 알 수 있다. 이제 IN값을 계산해보자.
-
- 이론값으로 4[mA] 구했고 이를 실험적으로 구
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실험을 통하여 확인할 수 있었다. 때문에 중첩의 정리가 성립한다는 것을 실험적으로 확인할 수 있었다.
B. 가역 정리
1) 그림 12의 회로를 결선한다.
2) 단자 A, B의 전압을 4, 8, 12V로 변화시키며 C, D에서의 전류를 측정한다.
단자 전압
[Vab]
ICD[mA]
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