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신소재기초실험 OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
- Furnace system
-실험
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공정이 산화공정이다. 소자마다 차이는 있지만 산화공정의 횟수는 대부분 소자를 만들기 위해 사용되는 mask의 장수만큼 또는 그보다 많은 횟수가 필요하다.
1.3 산화 기구
딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000
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공정기술』,2006 1. 실험목적
2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)
3. 실험방법
4. 실험결
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공정에서 식각 마스크로 사용.
⑤ 도핑된 산화막으로 불순물 농도 조절
⑥ 산화막은 MOS 집접 회로에서 게이트 캐패시터의 유전체로 사용
2. CVD와 PVD에 대해 설명하시오.
2.1 CVD(화학기상증착:Chemical vapor deposition)
2.1.1 CVD의 기초
열역학에 의해
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산화전 산물과의 보완적이어야 한다. 많은 항산화제들은 금속 킬레이트 화합물 또는 다른 항산화물질과 상승작용을 하며 그러한 이점으로 더욱 나은 항산화 효과를 얻을 수 있다. 1. Introduction(소개)
2. chemistry of lipid oxidation(지방산화의
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