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실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
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diode 회로를 사용하 면 최대치를 측정할수 있다.
- 정현파의 경우에 한하여 때때로 최대치에 일정한 상수를 곱해서 실 효치로 나타내기도 한다. 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관련이론
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실험으로 하려니까 어려웠다. 그래도 이번엔 공부를 하고 실험을 해서 인지 다른 실험보다 쉬웠던 것 같다. 1. 실험목적
2. 이론적 배경
2-1. 테브닌 정리
2-3. 테브닌 정리의 실험적 증명
3. 실험 준비물
4. 실험 과정
5. 실험 결과
6. 실
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회로를 구하는 문제를 풀어본다.
Q :
이 문제를 노턴의 정리로 풀면
A : Rn =R2//R3 =(R2)(R3)/(R2+R3) = 2
전압원E을 포함한 단자 a와 b를 단락하고 단락전류 IN을 구한다.
In = E /R1 = 3A
이상의 결과로 부하 저항RL을 포함한 등가회로를 그린다. 1. 실험
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회로도 및 Multisim 실험 결과
- 최종 회로도
- Multisim 시뮬레이션 시작
- Multisim 시뮬레이션 1초 후
- 시뮬레이션 중 분주 스위치 작동
- 시뮬레이션 중 시간 스위치 작동
최종 결과물의 동작에 대한 개요
-실행 시켰을 때의 사진
제작 후기
처음
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의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다이오드 특성
- 실리콘 다이오드
- 게르마늄 다이오드
6. 다이오드 브리지
- 대전력 다이오드브리지
- 다이오드 브리지
<첨부> 다이오드에 관한 간단한 문제&풀이
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실험이 첨엔 지루하고 답답하고 했지만 직접 실험을 해
보니 좀 재밌었다. 앞으로는 조원과 함께 실험을 하면서 알아나가는 것이 나의 과제라고 생각된다.
또한 보고서도 쓰는 것이 좀 서투르고 만족은 못하지만 이것또한 조금씩 해봄으로써
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농도의 ZnSO4 제조
8. Nernst Equation
Ⅴ. 방 법
Ⅵ. 결 과
1. 전체 반응식
2. 이론값, 실험값 구하기
3. 상대오차
4. 그 래 프
5. 염다리(salt bridge)의 종류와 역할
6. EMF series와 Galvanic Series 설명과 차이점
Ⅶ. 고 찰
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브리지의 중심에 무게중심이 있어야 정확히 측정이 된다.
로드셀을 주로 무게를 측정하는데 이용이 되는데, 1. 광센서
(1) 관련 이론
(2) 광센서의 활용
2. 근접센서
(1) 관련 이론
(2) 근접센서의 활용
3. 로드셀
(1) 관련 이론
(2) 로드
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실험한 조건에서의 전기 저항값이 제대로 나오지 않았다. 제대로 된 실험값으로는 200정도로 전기 저항값이 측정이 되어야 하지만, 18으로, 제대로 된 실험이 되지 않았던 것을 알 수 있었다. FTS 박막증착에 관한 실험 보고서
1. 실험명
2.
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