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실험값이 비교적 60Hz에서 많이 벗어난것이라고 생각한다.
5. 분석 및 토의
그림 7.1, 7.2, 7.3 각각은 의용전자에서 이미 배웠던 1차 필터와 특성이 비슷하여 실험도 쉽게 할 수 있었다. 하지만 2차필터의 특성으로 새로 배운 노치필터는 필터시키
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실험 결과를 바탕으로 표와 그래프를 그려본 결과, 1N4148과 1N4733 다이오드의 수치 모두 전압이 0.5V부터 천천히 올라가다가, 1~2V 시점부터 급격하게 증가됨을 알 수 있다.
7. 참고문헌
전자회로실험
p.2~5 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초
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실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4. 실험기자재 및 부품 76
5. 실험방법 및 순서 76
6. Simulation 78
7. 실험 결과 85
실험 8. Op-Amp 특성 측
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특성을 이끌어 낼 수 있다는 정도로 볼 수 있다. 1. 실험 결과 데이터
BJT특성
1)트랜지스터 형태 단자 재료의 결정
2)컬랙터 특성 표8.3
3) α 와 β 의 변화
고정바이어스 전압분배기 바이어스
1) β의 결정
2)고정바이어스회로
3)전압분배
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4. 각각의 VGS에 대해 X축을 VDS, Y축은 ID를 갖는 그래프를 그린 후 λ, r0를 계산한다. ① 전계-효과 트랜지스터(FET)
② 전류 전도를 위한 채널의 형성
③ MOSFET의 동작 영역
⑤ 포화 영역에서의 동작
① Vt 측정
② NMOS의 I-V 특성 곡선
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실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 전자회로실험
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결과 값을 얻을 수 있었다. 슬루율을 계산 할 때 출력 전압이 상승하는 구간과 하강하는 구간의 기울기가 약간 차이를 보였는데 실험에서는 상승하는 구간의 슬루율을 측정 하였다.
3. 결론
이번 실험을 통해서 연산 증폭기가 이상적인 특성과
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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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실험 9, 10번을 보면 그것을 잘 알 수 있다.
결과 및 토의
⇒ 전반적으로 실험이 매끄럽게 잘 끝났다. 원래는 2N6004를 써야 했지만 예비레포트때 2SC1815를 사용하여 실험 때도 2SC1815를 사용하였는데 시뮬레이션 돌려 본 것과 비슷하게 나왔다. 이
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구형파는 PSPICE에서 VPULSE를 이용하고 V1=-5, V2=5, TD=0, TR=1P, TF=1P, PW=0.05m, PER=0.1m로 놓아라).
슬루율 : 전자회로실험 예비보고서
2장. 연산 증폭기의 비이상적 특성
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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