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실험도구의 parameter 값의 오차가 있을 수 있기 때문이다.
(3) 그리고 부품마다의 노이즈, 정보손실이 있을 수 있기 때문에 오차가 발생한다.
4. 전압-전류 변환기 입력에서 가변 저항기와 전압계를 제거시킨 후에 남아 있는 회로는 전자 전압계
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, 10번 실험) 를 제거하자 전압이득이 현저하게 떨어지는 것을 알 수 있다. 즉 는 교류 전압이득을 저하시키지 않기 위해서 반드시 필요하다.
(2) 의 제거가 증폭기 성능에 어떤 영향을 주는가?
⇒ 는 이미터 저항으로 전류이득과 출력저항에 전
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작게 한 후 증폭기의 신호입력에 연결하고 각단의 출력을 측정한 결과, 이론과 일치하는 증폭된 파형이 출력되었고, 각단의 DC 바이어스 + 사인파 의 형태로 출력되었다. 1. 주제 및 실험 관련사항
2. 전체 회로도
3. 각단 해석
4. 결론
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주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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실험이 아닌데도 오래 걸린 실험이였다. 이번 실험을 통해 MOSFET의 차단영역, 트라이오드영역, 포화영역에 대해서 이론 시간에 배웠던 내용들을 직접 실험해보며 기억속에 더 자리잡게 해줬고 소스 접지 증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계
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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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회로가 증폭기로서 동작할 때 전압이득은 얼마인가?
(a) -10 (b) -1
(c) 1(d) 10
⇒ 회로가 증폭기로서 동작할 때는 Rf/Rs의 전압이득을 가지고 증폭기로서 동작하므로, -22㏀/2.2㏀=-10의 전압이득을 가지게 된다
3. 그림 31-1B의 회로가 적분기로서 동작
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증폭기의 동산신호제거의 측정단위는 데시벨(dB)이다.
4. 차동전압이득이 100이고 동상전압이득이 0.001이면 동상신호제거는 얼마인가?
(a) 40dB(b) 60dB
(c) 80dB(d) 100dB
⇒ CMR(dB)=20log( Av(d) / Acm ) 으로 즉 20log(100/0.001) = 100dB이 나온다.
5. 그림 28-1의 회로
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회로는 입력전압이 미리 정해진 기준값보다 더 큰지 또는 더 작은지를 결정할 수 있게 된다. 또한 앞에서 사용된 증폭기에서는 feedback loop이 있는 폐회로의 상태에서 동작하였지만 이와 반대로 비교기에서는 feedback loop가 없는 개회로의 상태
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회로에서 부하저항 RL 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 에 의해 분자의 값이 증가함으로 전압이득은 증가한다.
5. 그림 22-1의 공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과
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