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A npn형의 개량형 고주파용 트랜지스터
Ⅳ. 실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3
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적으며, 이면 이다. 소스에 출력이 있으므로 입력 전압과 동상이다.
① 전압 이득
② 입력 저항
입력 신호가 Gate에 공급되므로 입력 저항은 CS 증폭기와 같이 매우 높다.
여기에서, 이다. 1. 실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
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실험결과
표 18-1 R-C 직렬회로의 전압, 전류의 이론값
k
오실로스코프
Si 다이오드 : 1N4001 , 1N4154
Ge 다이오드 : 1N34A
LED
●고 찰●
(1) 다이오드의 캐소드와 애놀드를 구별하는 방법에 대해서 기술하여라.
(2) 이 실험에서Si및 Ge다이오드의 문턱값
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. 우리 조도 증착 시킬시 증착 전류의 미세한 조절이 어려워 기판을 태워먹기도 하였다. 증착 시 미세한 조절이 필요하고 실험 전 각 기기의 사용 방법을 충분히 숙지하여 실험에 임하면 좋은 결과가 있을 거라 생각된다.
7.박막의 응용
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정말 화음까지 구현이 가능했으리라고 생각해 본다. 1. 목적
2. 응용범위
3. 사용소자
4. 회로도
5. 결과
1)주파수
2)반음 주파수
3)전원
4)스피커 전압
5)LED주파수
6)트랜지스터 전압
6. 분석 및 토의
7. 개선사항
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맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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전자공학 2판』, 문선당, 2011, pp. 86-88 1. 개요
1.1. 목적
2. 시스템 구성
2.1. 과제1
2.1.1. schematic 및 설정
2.1.2. simulation 결과
2.2.3. 이론값 및 결과분석
2.2. 과제2
2.2.1. schematic 및 설정
2.2.2. simulation 결과
2.2.3. 이론값 및 결과분석
2.3. 과
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전자공학 2판』, 문선당, 2011, pp. 86-88 1. 개요
1.1. 목적
2. 시스템 구성
2.1. 과제1-삼상 전파정류회로
2.1.1. schematic 및 설정
2.1.2. simulation 결과
2.2.3. 이론값 및 결과분석
2.2. 과제2
2.2.1. schematic 및 설정
2.2.2. simulation 결과 및 결과분석
2
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안정된 회로이다.
를 값으로 임의로 정해 회로 구성을 할 수 있다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) 콜렉터 궤환 회로
(2) 이미터 바이어스 회로
(3) 전압분배기 회로
5.. 연습문제
6. 결론 및 고찰
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회로에 사용됨.
극성이 없고 용량이 작아서 고주파 대역에서 주로 사용됨.
4.실험 내용 및 결과
1) 달링턴 이미터 플로어 회로
a. 그림 23-1회로의 직류 바이어스 전압과 전류를 계산하라. 아래에 기록하라.
전압 이득과 입출력 임
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