|
증착시켜 타서 약간 금색을 띤 모습입니다.
(b)그림은 한 번 코팅된 것과 두 번 코팅된 것은 확대한 모습입니다. 색과 경계선의 차이를 느낄수 있습니다.
6.검토 및 토의
진공 증착 법으로 박막을 직접 제작함으로써 박막프로세스에 대해 이해
|
|
|
2-1.박막제작방법
2-2. 물리적 증착법 (PVD, Physical Vapor Deposition)
2-3.진공 증착법(Vacuum Evaporation)
2-4. 피복층 조직
2-5. 진공 증착법의 특징
2-6. 적용 범위 및 응용
3.실험장치 및 시약
4. 실험방법
4. 분석
5. 결과 및 토의
|
|
|
증착한다. 이는 후막 처리법에 의해 제조할 수 있는 PDP의 유전층(～30um)에 비해 얇은 두께이며, 따라서 MgO 보호막은 박막 제조법으로 제작한다. 현재 AC-PDP용 MgO 보호막은 전자빔에 의한 진공증착법, 스퍼터링에 의한 방법 ion plating법 액상으로
|
|
|
진공 증착하는 것보다 증착 회수가 적고, 이미 LCD에서 이용되고 있는 컬러 필터 기술을 이용할 수 있다는 점이다. 그러나 RGB 3파장으로 이루어지는 스펙트럼 형상이 요구되고, 컬러 필터에 의한 휘도 감소의 단점이 있다. 셋째는 청색 유기 EL
|
|
|
제작조건은 다음과 같다.
시편번호
기판온도(K)
기본압력
Ar 압력
power(W)
회전수(rpm)
증착시간(m)
Fe#1
290K
1.60E-08
1.50E-03
200
90
15
Fe#2
473K
1.40E-08
1.60E-03
200
90
15
Fe#3
673K
1.50E-08
1.40E-03
200
90
15
2. XRD에 의한 박막의 두께 측정
두께를 측정하기 위해 low ang
|
|
 |
제작, 단순한 공정 등의 장점이 있으므로 비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., \"An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-
|
|
|
제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
|
|
|
박막 형 태양전지
2) 화합물 반도체 태양전지
가) I-III-VI족(CIS)태양전지
나) II-VI족(CdTe) 태양전지
다) III-V족(GaAs, InP)태양전지
3) 유기 태양전지
가) 개 요
나) 유기 박막 태양전지의 기본구조
다) 유기박막 태양전지의 제작방법
|
|
|
증착법
(2) 열처리에 의한 재결정법
(3) 직접 증착법
(4) 엑시머 레이저 열처리법
ELA 방법에 의한 다결정 실리콘‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6
(1) 결정화 순서
(2) 공 정
(2-1) 전반적 공정
(2-2) E
|
|
|
의한 pin설정에 의해 간단화 할 수 있다. Data Latch 에서는 Parallel 혹은 serial를 처리하기 위해서 기존의 system에서는 각각의 Block를 삽입하였으나 제안된 구조는 모두 포함되어 있고 user define에 결정되어진다. memory controller에서는 memory에 Data가 씌
|
|
 |
진공도가 점점 나빠지고 있었음을 확인했습니다. 체임버의 개스킷을 교체하고 진공 펌프를 재시작하여 다시 측정을 진행했고, 결국 10% 이내인 0.2Å으로 오차를 줄이는 데 성공했습니다.
실리콘 기판으로 샘플을 제작하여 구조를 분석했는데,
|
|
 |
진공 플라즈마에 대한 지식은 공정을 이해하는데 큰 도움이 될 것입니다.
세 번째로 반도체 공정실습에서는 Inductor역할을 하는 웨이퍼를 제작하였습니다. 이 과정에서 노광,식각,증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한
|
|
 |
증착하기 위해 박막 증착 기술을 응용했습니다. 감압 환경을 조성하여 재료가 일정 두께로 증착되도록 제어했고, 이를 통해 기포 제거 효율을 극대화한 유체 소자를 완성할 수 있었습니다. 이 과정은 실제 반도체 공정의 deposition 기술이 어떻
|
|
 |
제작’ 최종 발표가 2주 남은 상황에서 박막 증착 중 예기치 않은 파티클 발생을 책임지고 해결한 경험이 있습니다. 과제 평가 항목에
수율이 포함되어 있었기 때문에, 화학 기상 증착 과정에서 갑작스러운 파티클 발생은 치명적으로 다가왔
|
|
 |
박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단위 유체에서 기포를 제거하기 위해 상대적 소수성 성질을 활용할 수 있었던 성공 요인으로 뽑혔습니다. 1. 삼성전자를 지원한 이
|
|
메뉴펼치기
