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이득을감쇄시켜서 안정된 동작을 하도록 하기 위한 것입니다. 저항의 비를 정밀하게 측정하는 경우에 이와 같은 회로가 이용됩니다. 1. 실 험 목 적
2. 실 험 내 용
3. 실험장치 및 준비물
4. 실 험 방 법
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예비실험의 VHDL과도 일치한다.
[예비실험 2.2] 74153 MUX IC를 사용하여 겸증하시오.
회로를 설계하고 시뮬레이션 해보면 다음과 같다.
74153은 4 x 1 MUX가 두 개 있는 소자이다. A와 B에 선택변수를 입력하고 C0부터 C3까지 차례대로 D를 입력해 주면
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멀티 시험기 사용법(계시물,각종저항,다이오드 이용)
기능 3. 순방향 특성회로 제작 및 작동실험
기능 4. 정전압 회로 제작 및 작동실험
기능 5. 스위칭 회로(트랜지스터 기본회로) 제작 및 작동실험
기능 6. 타이머 회로 제작 및 작동실험
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a - b단자의 저항값과 b - c단자의 저항값의 합은 최대 저항에 근접하다는 것도 알 수 있다.
4.3 실험 3.6에서 실제 측정 회로를 그리고, 자신이 설계한 회로와 차이가 있다면 그 차이를 분석하라. 전류와 전압은 Ohm의 법칙을 만족하는가? 계산값과
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회로에서 회로에 대한 중첩의 원리를 적용할 때 V2는 단락회로대체된다.
(5) 위의 그림에서 R5에 걸리는 전압은 V이다.
(6) 위의 2번의 회로에서 R1에 흐르는 전류는 A이다. 1.실험 목적
2.실험이론
3.실험 방법 및 회로도
4.예비보고서
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그 오차를 무시할 정도가 되어 이론을 설명하는 데에는 별 영향을 끼치지 못한다. 5.1 직,병렬 저항회로
5.2 병렬 연결 등가 저항 실험
5.3 직·병렬 연결 등가 저항 실험
5.4 전압 분배기 실험
6.1 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정
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회로에서 출력 X의 논리식을 구한 후 이를 부울대수의 정리를 이용하여 간소화 시키고 <표 2-2>와 같은 진리표를 작성하시오.
[그림 2-3]
A
B
C
X
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
<표 2-2>
☞ AB+AC
◈ 실험절차
1. [그림 2-4] (a),
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실험 내용은 충분히 이해가 되었는지의 여부와 검토사항을 기재하라.
- 이번실험은 지난번의 설계실험보다 회로도가 단순하고 실험할 내용도 별로 없어서 그때보다는 일찍끝났다. 하지만 전체회로도에서 4050의 8번핀이 GND가 아닌 -15V로 연결
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4.678V
0.3138V
4.7159V
-4.995V
KVL 전압법칙
실험값
1
0.002V
2
0.0021V
3
0.0347V
결과 및 토의
우리조는 멀티미터계가 고장이 나서 전류계로 측정 하였기 때문에 오차가 더 발생 하였다.
브리지회로를 이용하여 저항값을 측정할 때 유의해야 할 점은 가변저
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회로의 impedance
ZR = VR/I
ZL = VL/I
ZC = VC/I
Z = V/I
Z =
sqrt{Z_R^2 + (Z_L - Z_C )^2}``
phi ``=``
tan^-1 [(Z_L - Z_C )/ Z_R ]``
II. 토의 사항 1. 목적
2. 이론
(1) Capacitance와 inductance의 물리적 정의
(2) Impedance의 측정과 그 합성
3. 실험기구
4. 실험 방법
(1)
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