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인덕터의 폭이며 a는 인덕터의 안쪽반지름 b는 인덕터의 바깥반지름을 나타냅니다. 따라서 인덕턴스를 크게 하려면 위 식의 분자에 해당하는 변수를 크게 해주면 되고 그에 따라 실험결과도 이론값에 근접할 결과값을 얻을 수 있습니다.
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전자공학의 큰 두 개의 부류를
확실히 이해할 수 있다고 생각된다.
■ 소요장비 및 재료
오실로스코프 와 그외
probe
전구 다마 ■ 실험실습 프로그램
■ 학습 목표
■ 학습자 분석
■ 주별 학습단원 및 학습목표
■ 실험실습 제목
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결과 값이 출력된다. · 진리표A
B
D0
D1
D2
D3
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
실험 2. PSpice나 Quartus II를 이용해 시뮬레이션을 위한 회로 구성에 힘든 점이 있어 진리표로 시뮬레이션 값 대체함. 1. 실험 이론
2. 문제
3. 실험 방법
4. 시뮬
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회로를 제작할 때도 큰 어려움이 없었다. 기초전자물리학실험2
결과보고서 (실험1)
1. 실험 장비 및 도구 사용법1 (기초전자공학실험1)
1. 실험의 목표
2. 실험 장비 및 재료
3. 실험 방법 및 분석
실험 1 A. 도통 테스터기(Conductor Test
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결과를 사용하여 vo의 예상 파형을 그림 6-4에 그려라. 선택된 수평과 수직축의 감도를 오른쪽에 기록하라. 1. 사전 지식
2. 실험 절차
1) 항복전압 (역 15V이상 -> Vt측정)
2) 클램퍼(R, C, diode 조합)
3) DC 배터리를 가지는 클램퍼
4) 클램프(정
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결과 : 각 소자의 특성에 따른 전류 및 전압의 신호지연을 이해한다. 1. 실험의 목적
2. 관련이론
(1) 캐패시터
• 캐패시터 종류
(2) 캐패시터의 용량을 읽는 방법
(3) 캐패시터의 직렬과 병렬연결
(4) RC 직렬회로의 특성
3.
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실험시 측정한 선간전압과 선전류 그리고 역률을 고려해야 3상회로의 전력을 구할수 있다.
6. 실험후기
이번 실험은 테마7번으로 교류단상회로 및 3상회로의 전력과 역률을 측정하는 것으로 지난 학기때 배운 기초전기전자 과목을 떠올리며
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회로를 결선하고 Ch1(X축)은 50mV/div, Ch2(Y축)은 1V/div로 둔다. 함수발생기의 주파수를 100Hz정도로 하고 진폭을 증가시켜서 <그림 6>의 모양이 되도록한다.
6. 실험 내용 및 결과
A. 다이오드의 양호/불량 시험
- 다이오드를 DMM측정기를 이용해
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60 V
5. 4의 실험 결과를 분석하여 전구 양단에 걸리는 전압 파형을 그려 보아라.
실험 3 : TRIAC를 이용한 교류 전력(위상)회로
1. 그림 5.9의 회로를 구성하라. 그리고 실험 2의 내용을 반복하라.
본 실험은 안전을 위하여 110V에서 사용하도록 하였
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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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