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CVD
화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposit
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스
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공정별 2차원 패턴을 새긴 순수 석영판
2. Cr을 이용해 빛 투과여부를 조절 가능
3. Wafer에 형성될 패턴보다 4~5배 정도 확대된 패턴 형성
4. 메모리공정의 경우 25~30장 사용
<CVD(Chemical Vapor Deposition)>
1. 농도차로 인한 확산
2. Wafer 표면 위
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Volmer - Weber Mode
▶ Stranski - Krastonov Mode
▶ Frank van der Merwe Mode
▶ 화학 증착법
▶ Thermally activated CVD
▶ CVD sources used and criteria for choice
▶ Hot wall reactor
▶ Cold wall reactor
▶ Parallel flow
▶ Normal flow
▶ 율속지배단계
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공정은?
반도체 소자 제작에 많이 사용되는 박막은 열적 성장이나 물리적 증착, 혹은 화학 반응에 의해 증착되는 금속, 반도체, 부도체의 얇은 층을 말한다.
박막 제조의 대표적인 4가지 방법은 다음과 같다
1) 화학 기상증착 (CVD : ch
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공정 순서
<1> 웨이터(Water) 제작
<2> 설계 및 공정
<3> TEST 및 Package(조립 및 검사)
나. 공정에 대한 설명
<1> 사진공정(Photolithography)
<2> 화학기상 증착( CVD )
<3> 금속화 공정(MENTALIZATION)
<4> 산화공정(Oxidation)
<5> 확산공정(Diffusion)
<6> 이온주
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CVD chemical vapor deposition 화학시상증착 공정
화학기상증착 공정이란?
◉ 화학 반응을 수반하는 증착기술로서 부도체, 반도체, 그리고 도체 박막의 증착에 있어 모두 사용될 수 있는 기술
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증착.
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨. PVD
원리 및 종류 그리고 특징
CVD
원리 및 종류 그리고 특징
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공정
7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)
8. 노광(Exposure)공정
9. 현상(Development)공정
10. 식각(Etching)공정
11. 이온주입(Ion Implantation)공정
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
13. 금속배선(Metallization)공정
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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종류
① DC sputtering :
② RF sputtering
③ reactive sputtering
④ magnatron sputtering
○ RF sputtering
① Self bais :
● Hybrid and modified PVD Processes
․ Ion Platind 법
● PVD박막의 비교
● ARC PLASMA DEPOSITION
● CVD의 종류
■ 유전체의 범주
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