|
전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
|
|
|
회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
|
|
|
1
1
0100
0
0101
0
0110
1
0111
0
1000
0
1001
1
1010
X
1011
X
1100
X
1101
X
1110
X
1111
X
BA
DC
00
01
11
10
00
0
0
1
0
01
0
0
0
1
11
X
X
X
X
10
0
1
X
X
그림 8-6 3으로 나누어 떨어지는 BCD수에 대한 Karnaugh맵
맵으로부터 읽은 최소 SOP : X=AD+ABC+ABC
AD
ABC
ABC
회로도
표 8-5의 실험결과
3 =
|
|
|
각각의 고장이 회로에 어떠한 영향을 끼칠지 설명해 보라(어떤 고장은 아무 영향을 끼치지 않을 수도 있다). 예측에 자신이 없다면 모의 고장을 발생시켜 결과를 테스트해 보자. ○ 실험 목표
○ 사용 부품
○ 관련 이론
○ 실험 순서
|
|
|
회로를 구성한 후 저항기 측정 실험에서는 미지의 저항값의 측정 범위를 조작할 수 있는 실험이다. 이것은 라는 식에서부터 과 의 비율을 달리함으로써 조절할 수 있다.
즉, 미지의 저항의 측정범위가 30㏀이므로 의 값을 1㏀으로 하고 의 값을
|
|
|
전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
|
|
|
단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datasheet 5
|
|
|
D1
비고 및 고찰
실험 1은 ROM을 논리소자들을 이용하여 만들어 보는 실험이었습니다. 실험 1의 회로는 SW1~4에 따라서 저장되어 있는 데이터가 출력되는 회로입니다. 이 실험은 스위치를 동작시키지 않은 상태에서의 기본 값은 입력된 값인 A~H에
|
|
|
실험은 너무 많고, 시간은 한정되어 있어서 모든 실험을 하지는 못했습니다. 하지만 예비 보고서를 쓰며 직접 실험하지 못했던 실험들도 미리 공부하고 결과 값을 예상할 수 있었습니다. 만약 7번 이후의 실험을 했더라면, up/down-counter들과 감
|
|
|
결과, 실험 (2)와 실험 (3) 모두 위상차 값은 90이고, 역률은 0이 되는 것을 확인할 수 있었습니다.
실험에서 무시할 수 있을 정도의 작은 오차가 발생했는데, 이 오차의 원인은 회로의 임피던스가 증가하고, Z에서 소모되는 전력이 증가하게 되었
|
|
메뉴펼치기
