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이번 실험은 어떠한 상태도를 보고 천이표를 그리고 그 천이표에 따른 카노맵을 만들어 현재 상태에 대한 다음 상태의 식을 구하고 그 식을 통해 D플립플롭으로 회로를 설계한 뒤, 그 회로를 브레드보드에 구성하여 결과값을 얻는 복잡하고
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실험 회로 5
- 74LS08 AND gate와 74LS04 NOT gate로 구성된 NAND와 74LS00 NAND gate와 비교하여 실험하라
☞ 74LS08에서 AND되어 나온 출력을 다시 74LS04에서 NOT을하여 출력하여 NAND의 효과를 내는 회로이다.
☞ 입력이 (1,0)일때는 1이 (1,1)일때는 0이 나왔다. 이
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논리식을 구하면 다음과 같다.
S = A · B + A · B = A + B
C = A · B
입력
출력
A
B
S
C
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
2.전가산기
A, B en 입력 외에 앞단으로부터 1개의 자리올림수도 동시에 가산을 행할 수 있는 회로를 전가산기회로라 한다. 만약 A=011과 B=101을
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회로를 Design하고 Simulation을 해본 결과 오류비트가 먼저 들어감에도 정상적으로 작동하는 것을 볼 수 있었으며, 네 가지의 제한요소(경제성, 견고성, 확장성, 적시성)를 갖춘 회로를 완성하였다.
설계과제 요약서
제 1 장 서론
제 2 장
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1
1
0100
0
0101
0
0110
1
0111
0
1000
0
1001
1
1010
X
1011
X
1100
X
1101
X
1110
X
1111
X
BA
DC
00
01
11
10
00
0
0
1
0
01
0
0
0
1
11
X
X
X
X
10
0
1
X
X
그림 8-6 3으로 나누어 떨어지는 BCD수에 대한 Karnaugh맵
맵으로부터 읽은 최소 SOP : X=AD+ABC+ABC
AD
ABC
ABC
회로도
표 8-5의 실험결과
3 =
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회로라 한다. 그림 3.2를 논리식으로 표현하면 식(3-1)과 같이 된다.
Y =Y1 Y2 Y3
=AB CD EF
식(3.1)에서 마지막 항은 각 변수에 OR를 취한뒤 반전된 형태이다. 드모르간의 정리를 dldydgkaus 식(3.1)은 다음과 같이 된다.
Y=AB+CD+EF
드 모르간의 정리를 이용하
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실험에 대한 결과가 일치하는 것을 확인할 수 있다.
ⅲ. 디코더
1. 2단 2진 카운터
◆ A`B`, AB`, A`B, AB의 출력을 구하기 위한 회로는 다음과 같다.
NAND gate를 사용해서 출력을 측정한다.
◇ 위의 출력을 워크벤치로 측정한 결과는 다음과 같다.
Clock
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다음과 같다.
※ 위에서 구성한 3-input OR, NAND, NOR gate들이 모두 잘 동작하는 것을
알 수 있다.
(3) 그림 2의 회로를 구성 L-9
워크밴치 이용
2-INPUT AND gate
3-input AND gate
3-input OR, NAND, NOR gate
De Morgan's theory를 증명하고 설명
e Morgan's theory
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(1) 실험 1-1-1에서 구한 전류 이득 값을 이용하여 이론값을 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계산 결과와 비교한다.
e. 전류 이득
- 이론값
- 실험값
- 비교
(2) 실험 1-1-1에서 구한 트랜지스터의 β 값과 값을 이용하여 회로 1, 2, 3 의 특성을 Electron
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실험 내용
A. SR latch
(1) <그림 8>의 회로를 구성하라.
(2) 입력 S와 R의 조합을 통해 진리표를 완성한다. 표의 상태 행에서 set, reset, last Q, ambiguous 등으로 구분하여 기입한다.
(3) SR latch의 동작을 시간도표로 나타내고, 특히, S=R=1에서 S=R=0상태
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