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단결정 육성/신재혁강승민오근호/한양대학교 무기재료공학과
(2) 부유대용융법에 의한 고품질 Rutile(TiO2) 단결정 성장에 관한 연구/박종관/한양대학교 대학원/2002.02
(3) Floating Zone 법에 의한 LiNbO3 단결정의 성장과 광학적 특성에 관한 연구/고정
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FZ법)5)
한 순간에 원료물질 중 한 부분 또는 일부 영역만 가열 용융시켜 결정을 성장시키는 방법으로 정제된 단결정을 얻을 수 있는 방법이다. 원료물질은 분말 형태나 막대형태이다. 원료물질인 막대를 물림 장치로 고정시켜 장비
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단결정 성장법
1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구
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FZ법
FZ법에서는 불순물을 첨가한 아르곤 가스 중에 봉상의 다결정 실리콘을 고주파 전압을 인가한 코일로 띠 모양으로 용융시킨다.
이 때 용액부분에 작은 종결정을 접촉시키고, 코일을 상하로 이동시켜 봉 전체를 단결정으로 만든다.
참고문
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단결정을 만드는 방법.
부유대역 (FLOAT ZONE, FZ법)
- 다결정 실리콘 봉을 수직으로 고정하여 회전시키는 가운데 고주파에 의해 가열되어 녹은 작은 영역(보통 1.5cm)이 아래에서 위쪽으로 이동하게 되는데 종자 결정이 아래에 고정되고 이곳으로
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