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Floating Zone법은 그 원리나 장치적인 면에서 부분적으로 수정하여 더욱 우수한 품질의 결정을 성장시키려는 연구가 진행되고 있으며, 유용한 결정성장법으로의 그 위치를
차지하고 있다.
7. 참고 문헌
(1) Floating Zone 법에 의한 Rutile(TiO2) 단결정
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단결정 실리콘 기판에 비정질 실리콘 박막을 성장하는 이종접합 구조인 Heterojunction with Intrinsic Thin-layer (HIT) 태양전지로 양산기준 에너지 변환효율 19.5%를 달성하여 200W 모듈을 시장에 선보이고 있다. 실험실 수준에서는 21.4% 내외의 에너지 변
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Zone(FZ)
4. Edge defined film fed growth(EFG)
5. Skull melting법
6. Verneuil법
7. LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)
8. Hydrothremal method
9. VGF(Vertical Gradient Freeze)
2. Analysis method
Growth of single crystal thin film
-1. Hot Wall Epitaxy(HWE method)
2. CVD(Chemical v
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단결정 성장법
1. 초크랄스키법 (Czochralskimethod: CZ법)
2. 플로팅 존 법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구
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법)
대역 용융법(Floating Zone method)
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≪ 그 림 ≫
특징
1. 도가니의 부재
고순도의 단결정이 얻어짐
2. 고저항률 (300[Ω㎝]) 의
단결정을 얻을 수 있음 1.단결정 성장 공정
1
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