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단자 A와 B 사이에 나타나는 저항이므로
가 되어, 그림 2d와 같은 테브난 등가회로가 구성된다. 아울러 부하 저항에 흐르는 전류와 걸리는 전압은 식(3)으로 주어진다.
그림 3 두 개의 전원을 갖는 회로
2. 예비보고서
(1) 그림 4의 회로에 대해 테
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전압분배기를 이용한 바이어스 방식은 단일 전압원으로 높은 바이어스 안정도를 성취할 수가 있고, 실제 적용에 있어서도 간편하므로 매우 널리 사용되고 있는 추세이다.
※ 전압분배기 바이어스 : 전압분배기 바이어스 회로를 해석할 때 베
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회로는 테브난 등가회로를 적용하여 (b)로 나타낼 수 있다.
by KVL for 등가 B-E loop,
VTH = RTHIB + VBE + REIE
IB = 이므로,
VTH = RTH() + VBE + REIE = (RE + ) IE +VBE
∴ IE =
if RE ≫ (ex. RE > 10), IE IC
; βDC 와 무관
∴ 단일 전압원으로 좋은 안정도 달성 → 널리
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전압분배기를 이용한 바이어스 방식은 단일 전압 원으로 높은 바이어스 안정도를 성취할 수가 있고, 실제 적용에 있어서도 간편하므로 매우 널리 사용되고 있는 추세이다.
※ 전압분배기 바이어스 : 전압분배기 바이어스 회로를 해석할 때 베
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1. 실험 측정치
1) 테브난의 등가회로
V= 12v, R1= 20KΩ, R2= 20KΩ, R3= 30KΩ으로 설정하였고 RL을 60KΩ, 80KΩ.120KΩ를 선택하였다. 각각의 저항에 걸리는 전압과 전류의 실험값을 표로 나타내면 다음과 같다.
60KΩ 80KΩ 120KΩ
전압 3.571V 3.937
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전원
4. 전압원
5. 전류원
6. 전원의 결합
7. 키르히호프의 법칙
8. 전원 변환
9. 중첩원리
10. 테브난/노턴 등가회로
11. 등가 저항
실험방법
실험 1. 테브난의 등가회로
실험 2. 노턴의 등가회로
실험 3. 휘트스톤 브릿지 회로
예상결과
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ured
Calculated
Original
Circuit
Thevenin
Equivalent Circuit
330Ω
4.29
4.27
1.07
1.075
5.61
3.05
3.052
5. 고찰
-이번 실험은 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등가전압과 등가저항을 결정하고 테브닌 정리를 실험적으로 입증해보는 것이었다.
테브닌과 노튼의
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등가회로가 유령처럼 배회하고 있다. 공학자들이여 테브난 등가회로를 처리하기 위해 총 단결하라! 아작을 내 보기로 하자!
테브난의 등가회로로 고치기 위해 테브난 등가전압과 테브난 등가저항 구하는 방법은 아래와 같다고 했다. 흔히 사
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회로 내에 존재해야 한다. 그런 다음, 회로 A에 대해서 테브난의 등가 회로를 적용하면 된다.
여기서 회로 B가 양 단으로부터 분리되어 있을 때, 회로 A에 대해 Voc를 개방회로 전압(Open circuit voltage - 테브난의 등가전압())으로 정의하고, 모든 독
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나타나는 테브난 등가전압 를 측정을하고, 전압원을 단란시킨 후, 두 단자 사이에 나타나는 테브난 등가저항 를 측정하여 표에 기록한다. 그리고선 등가전압 와 등가저항 를 구했으므로, 테브난 등가회로에 직렬로 연결을 한 후, 전압을 측정
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