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바이어스 방식
ⅰ) 동작 전류 IC를 결정
ⅱ) 저항 R1 을 계산
R1 = (S-1)R2
R1 = (11-1)R2 이므로 R1 = 10R2
∴ R1 = 10KΩ
∴ R2 = 1KΩ
3. 고찰
이번 실험은 트랜지스터 소자의 특성을 이용해서 바이어스 회로를 설계하는 것이다. 트랜지스터는 전압이 아닌 전류
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회로에서 컬렉터 포화전류는 대략 얼마인가?
(a) 4㎃ (b) 7.5㎃ (c) 11.5㎃ (d) 23㎃
⇒ 회로에서 컬렉터 포화전류 IC(sat)는 IC(sat)=(Vcc+|VEE|)/(RC+RE)=(15V+8V)/2kΩ=11.5mA을 가지게 된다.(2개의 다이오드 모두 순방향 바이어스되므로 VCE는0이다)
5. 그림 1의 회로
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바이어스를 걸기 위한 것이다.
- 이러한 피드백 연결은 BDC에 대한 영향을 줄여 매우 안정된 동작점을 얻을 수 있으며, 회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대
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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가
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