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공정이다.
측정실험 검사
최종 끝마무리된 정밀주조품을 도면에 의거 요구되는 각종 품질 수준에 합치되는 지의 여부를 검사하는 공정으로 치수검사, 경도검사, 화학성분검사, 엑스레이 검사, 기계적성질 검사 등을 종합적으로 검사하여 합
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공정
1) WELLMAN -LOAD 법
2) 마그네시아법(MAGNESIUM -GYPSUMPROCESS)
3) 습식배연탈황의 기타방법
(2) 건식배연탈황 공정
1) 반건식( Semi-Dry Slurry Injection )공정
2) 건식( DSI=Dry Sorbent lnjection )공정
3) 흠착에 의한 SOx/NOx 동시제거 처
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실험은 굴뚝에서 직접 배출가스를 채취하여 황산화물의 농도를 분석해야 하지만, 여건상 미지시료로 대체하였다. 미지시료 2개(암모니아표준액 : 흡수액 = 5 : 5, 암모니아표준액 :흡수액 = 7 : 3), 바탕실험용으로 증류수를 사용하였다. 1. 실
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대기 중에 노출 되지 않는다. 따라서 불순물에 대해 비교적 자유롭다. Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두 자연 산화층을 통하여 확산할 수 있을 만큼 활동적이지 못하기 때문이다. 따라서 1. 실험 목적
2.
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실험에서 나타나는 오차로는 저항의 공정상의 오차와 측정시 Multi-meter의 내부저항에 의한 오차로 인하여 오차가 나타날 수 있다. 하지만 이를 모두 고려하더라도 저항의 합성을 확인하는 데에 문제가 없었다.
두 번째 실험은 가변저항을 이용
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측정의 간편함이 있지 만 정확하지 못하며 필터 노후로 인해 필터로서의 효율이 떨어진거 같다.
⑤탁도계를 이용한 탁도 측정시 이물질이 가라 앉아 정확한 탁도 측정을 할수 없는 것 이 오차의 원인이 될 수 있다.
⑥실험을 통하여 실제 공정
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공정 시험단을 말로만 들었다. 실제로 그 실험실을 들어가본적이 처음이였다. 많은 곳과 협력을 해서인지 몰라도 그 규모가 대단햇다. 이번 실험은 레이저 간섭계를 이용한 위치 측정장치를 견학 하는 것이였다. 타 실험과는 달리 견학이라는
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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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실험 Ⅵ
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mu_k
: 일에너지 원리에 의한 측정
힘상수
k
인 spring을
x
만큼 압축해 놓고 질량
m
의 물체를 발사하면 운동 마찰력
f_k
때문에
S
거리 진행한 다음 전지하게 된다.
[그림 3-5]
일에너지 원리에서
spring이 길이 x만큼 압축되었을 때의 탄
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- 전체 실습과정 지시서 작성
- 지식 및 실기평가를 위한 보고서(과제) 작성
- 작업과정 중 관찰사항 정리
- 1. 재료공정실습 프로그램
2.학습과목
3.실험실습의 목표
4.관련지식
5.소요 장비 및 재료
6.실험실습의 학습지도 전개
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